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一种采用CSD工艺制备肖特基二极管P+型扩散保护环的方法，步骤包括旋转涂覆：在通过刻蚀制作好保护环P+沟槽后的晶圆上，使用旋转涂覆法使晶圆上覆盖一层带有硼掺杂剂的B30液态源并烘干，涂覆厚度在3000～6000埃；预扩散在氮气气氛高温炉中预...
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