具有改进的粘合的半导体器件及制造该半导体器件的方法技术

通过设置宽带隙半导体层、在该宽带隙半导体层中设置多个凹进部、以及在该多个凹进部内中设置金属栅接触来制造宽带隙半导体器件。保护层可设置在宽带隙半导体层上，该保护层具有延伸穿过其的第一开口，电介质层可设置在该保护层上，该电介质层具有延伸穿过其且比第一开口窄的第二开口，且金属栅接触可设置在第一及第二开口中。可将该金属栅接触设置为包括在多个凹进部中的势垒金属层，以及在该势垒金属层上且远离宽带隙半导体层的电流散布层。同样讨论了相关的器件及制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件，且更特别地，涉及包括具有改进的接触的宽带隙半导体器件的半导体器件及制造该半导体器件的方法。
技术介绍
已发现诸如硅(Si)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)的半导体材料在用于消费、商业及其他应用的半导体器件中的广泛应用。特别关注的用于大功率和/或高频应用的器件是高电子迁移晶体管(HEMT)。HEMT是一种场效应晶体管(FET)，其将具有不同的带隙(SP，异质结)的两种材料之间的结合并为沟道，取代如通常在集成电路场效应晶体管中的那样的掺杂区。肖特基势垒栅被用于控制源区和漏区之间的二维电子气(2DEG)。肖特基势垒是一种形成在金属半导体结处的位垒，其具有校正特性。 宽带隙HEMT和FET器件通常包括宽带隙半导体层和宽带隙半导体层的平坦表面上的栅电极。可设置电连接到栅电极的栅接触，该栅接触用于向栅电极提供电压。栅接触可形成在器件的有源区域外，并且可与栅电极一体形成。栅电极和栅接触两者通常各包括三个金属层与宽带隙半导体接触的势垒金属层、电流散布层以及其之间的用于减少或者防止电流散布层扩散到金属层内的扩散势垒层。例如，镍是GaN基HEMT最常用的势垒金属层。电流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：V米茨科夫斯基，H哈莱特纳，
申请(专利权)人：克里公司，
类型：
国别省市：