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通过设置宽带隙半导体层、在该宽带隙半导体层中设置多个凹进部、以及在该多个凹进部内中设置金属栅接触来制造宽带隙半导体器件。保护层可设置在宽带隙半导体层上，该保护层具有延伸穿过其的第一开口，电介质层可设置在该保护层上，该电介质层具有延伸穿过其且...
该专利属于克里公司所有，仅供学习研究参考，未经过克里公司授权不得商用。

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