一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，涉及液晶显示领域。其中薄膜晶体管包括：一衬底基板；形成在所述衬底基板上的立体结构的栅电极；覆盖所述栅电极的栅绝缘层；形成在所述栅绝缘层上的半导体层；形成在所述半导体层上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的源漏电极，所述薄膜晶体管形成的沟道为立体结构。本发明专利技术的方案可以降低驱动电压减少驱动电路功耗，减少TFT占用面积增加通光率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，特别是一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管。
技术介绍
在显示领域中，高PPI (Pixels per inch，每英寸所拥有的像素)值的平板显示器是各家竞争的焦点。然而如果面板在具有较高的PPI值时，会给面板时带来一系列诸如功耗，通光率等问题。由此在TFT(Thin Film Transistor薄膜晶体管)阵列基板不透光面积减小的条件下增大沟道宽度以增加饱和电流保证一定的充电率就成为了技术难题。现有技术中的TFT阵列基板，其导电沟道和栅电极层为薄膜的平面结构，无法充分合理的利用空间体积来提升饱和电流。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，可以在一定程度上降低驱动电压减少驱动电路功耗，减少薄膜晶体管(TFT)占用面积增加通光率。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成立体结构的栅电极；在形成有所述栅电极的衬底基板上形成覆盖所述栅电极的栅绝缘层；在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成半导体层；形成有所述半导体层的衬底基板上形成缓冲层；在形成有所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括，提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成立体结构的栅电极；在形成有所述栅电极的衬底基板上形成覆盖所述栅电极的栅绝缘层；在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成半导体层；形成有所述半导体层的衬底基板上形成缓冲层；在形成有所述缓冲层的衬底基板上形成金属层，通过构图工艺对所述金属层进行处理，形成源漏电极，所述薄膜晶体管形成的沟道为立体结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何宗泽，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：