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本发明公开一种用于在单纳米线上制备电极的方法，该方法用来在纳米线的特定位置上制备电极实现电接触，主要通过纳米线的转移、分散，电子束光刻套刻和纳米薄膜沉积等微纳米制造工艺实现，本发明方法的主要特点是使用Al薄膜作为电子束光刻的导电层和纳米线的...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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