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一种CMOS形成方法，包括：在所述第一区域和第二区域的半导体衬底表面形成栅介质层；在所述第一区域的栅介质层表面形成第一多晶硅层，在所述第二区域的栅介质层表面形成第二多晶硅层；在所述半导体衬底表面形成与所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层表面齐...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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