去除氮化硅侧墙、形成晶体管、半导体器件的方法技术

一种去除氮化硅侧墙、形成晶体管、半导体器件的方法，去除氮化硅侧墙的方法包括：提供硅基底，硅基底上形成有栅极，栅极周围具有氮化硅侧墙，硅基底内形成有源区、漏区，且源区和漏区位于栅极的两侧；在栅极上以及基底的源区、漏区上形成金属层，进行第一退火使金属层与硅基底作用形成第一金属硅化物层；在第一金属硅化物层的表面形成保护层；在形成保护层之后，将硅基底置于具有饱和硅离子的磷酸溶液中以去除氮化硅侧墙；去除氮化硅侧墙后，对硅基底进行第二退火，使第一金属硅化物层与硅基底作用形成第二金属硅化物层，第二金属硅化物层中硅的含量大于第一金属硅化物层中硅的含量。本技术方案可以节省工艺时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的资料存储量以及更多的功能，半导体芯片向更高集成度方向发展。而半导体芯片的集成度越高，半导体器件的特征尺寸(CD, Critical Dimension)越小。目前,半导体器件的特征尺寸逐步缩小，在半导体器件的特征尺寸缩小到65nm以及更小的尺寸时，在制造半导体器件时需要用到应力应变技术(stress strain technology),例如应力近接技术(stressproximate technology, SPT)。图1至图2为现有技术中晶体管制造方法的剖面结构示意图，参考图1 图2，现有技术的晶体管的制造过程为:参考图1，提供基底10，基底10上形成有栅极结构，所述栅极结构包括依次位于衬底10上的栅介质层U、栅极12、包围栅极12的侧墙，该侧墙包括内侧的氧化硅侧墙131和包围氧化硅侧墙131的氮化硅侧墙132。在形成侧墙前，对基底10进行轻掺杂离子注入，在基底10中形成轻掺杂源区和轻掺杂漏区(图中未标号)。在形成侧墙后，对基底10进行重掺杂离子注入，形成源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，包括：提供硅基底，所述硅基底上形成有栅极，所述栅极周围具有氮化硅侧墙，所述硅基底内形成有源区、漏区，且所述源区和漏区位于所述栅极的两侧；在所述栅极上以及硅基底的源区、漏区上形成金属层，进行第一退火使所述金属层与硅基底作用形成第一金属硅化物层；在所述第一金属硅化物层的表面形成保护层；在形成保护层之后，将所述硅基底置于具有饱和硅离子的磷酸溶液中以去除所述氮化硅侧墙；去除所述氮化硅侧墙后，进行第二退火，使所述第一金属硅化物层与硅基底作用形成第二金属硅化物层，所述第二金属硅化物层中硅的含量大于第一金属硅化物层中硅的含量。

【技术特征摘要】
1.一种去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，包括: 提供硅基底，所述硅基底上形成有栅极，所述栅极周围具有氮化硅侧墙，所述硅基底内形成有源区、漏区，且所述源区和漏区位于所述栅极的两侧； 在所述栅极上以及硅基底的源区、漏区上形成金属层，进行第一退火使所述金属层与娃基底作用形成第一金属娃化物层； 在所述第一金属硅化物层的表面形成保护层； 在形成保护层之后，将所述硅基底置于具有饱和硅离子的磷酸溶液中以去除所述氮化硅侧墙； 去除所述氮化硅侧墙后，进行第二退火，使所述第一金属硅化物层与硅基底作用形成第二金属硅化物层，所述第二金属硅化物层中硅的含量大于第一金属硅化物层中硅的含量。2.按权利要求1所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，所述金属层的材料为Ni和Pt，所述第一金属硅化物层的材料为Ni2SiPt,所述第二金属硅化物层的材料为NiSiPt。3.按权利要求1所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，在所述第一金属硅化物层的表面形成保护层的方法为:氧化所述第一金属硅化物层表面，形成保护层。4.按权利要求3所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，所述氧化所述第一金属硅化物层表面的方法为:利用臭氧去离子水氧化所述第一金属硅化物层表面。5.按权利要求4所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，所述臭氧去离子水的浓度为30 85ppm。6.按权利要求3所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，所述保护层的厚度为5 15埃。7.按权利要求5所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，所述利用臭氧去离子水氧化所述第一金属娃化物层表面包括:利用单片喷淋机台向所述第一金属娃化物层喷洒臭氧去离子水，喷洒的时间为30s以上； 或者，将具有第一金属硅化物层的硅基底置于臭氧去离子水槽中3分钟以上。8.按权利要求2所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，所述第一退火的温度为250°C 350...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘焕新，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：