用于提高氮化硅批间均匀度的非晶硅陈化作用制造技术

本发明专利技术实施方式提供用于在设置在处理腔室中的大尺寸基板上沉积含氮材料的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：在处理腔室中处理一批基板，以在出自所述一批基板的基板上沉积含氮材料；以及在处理所述一批基板期间以预定间隔执行陈化处理，以在设置在所述处理腔室中的腔室组件的表面上沉积导电陈化层。所述腔室组件可包括气体分配板，所述气体分配板由未经阳极化处理的裸铝制成。在一个实例中，所述导电陈化层可包括非晶硅、掺杂非晶硅、掺杂硅、掺杂多晶硅、掺杂碳化硅或其他同类物。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2011年8月16日申请的申请号为201110251079.1，并且专利技术名称为“用于提高氮化硅批间均匀度的非晶硅陈化作用”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术实施方式大体上涉及一种非晶硅(a-Si)陈化处理，所述非晶硅(a-Si)陈化处理用于氮化硅膜，所述氮化硅膜在分批处理中的大尺寸基板上沉积，所述分批处理使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统。
技术介绍
现代半导体装置制造的主要步骤之一是通过气体的化学反应在半导体基板上形成薄膜。这样的沉积处理被称为化学气相沉积或CVD。传统的热CVD处理将反应气体提供至基板表面，在所述基板表面发生热诱导化学反应以产生想要的膜。在基板上沉积层的选择性的方法包括等离子体增强CVD(PECVD)技术。等离子体增强CVD技术通过将射频(RF)能量施加至基板表面附近的反应区域来促进反应物气体的激发和/或解离，由此产生等离子体。等离子体中的物质的高反应活性降低了发生化学反应所需的能量，因此相比传统的热CVD本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理基板的方法，包括：在不存在任何基板的情况下，执行第一腔室陈化处理，以在腔室组件的表面上沉积第一陈化层，所述腔室组件设置在处理腔室中；执行沉积处理，以在所述处理腔室内在第一批基板上沉积第一材料层；在所述第一批基板的最后一个基板沉积有所述第一材料层之后，在不存在任何基板的情况下，执行第二腔室陈化处理，以在所述腔室组件的所述表面上沉积导电陈化层，所述腔室组件设置在所述处理腔室中；以及在所述第二腔室陈化处理之后，执行所述沉积处理，以在所述处理腔室内在第二批基板上沉积第二材料层。

【技术特征摘要】
2010.08.16 US 61/374,1581.一种处理基板的方法，包括：
在不存在任何基板的情况下，执行第一腔室陈化处理，以在腔室组件的表
面上沉积第一陈化层，所述腔室组件设置在处理腔室中；
执行沉积处理，以在所述处理腔室内在第一批基板上沉积第一材料层；
在所述第一批基板的最后一个基板沉积有所述第一材料层之后，在不存在
任何基板的情况下，执行第二腔室陈化处理，以在所述腔室组件的所述表面上
沉积导电陈化层，所述腔室组件设置在所述处理腔室中；以及
在所述第二腔室陈化处理之后，执行所述沉积处理，以在所述处理腔室内
在第二批基板上沉积第二材料层。
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
在所述第二批基板的最后一个基板沉积有所述第二材料层之后，在不存在
任何基板的情况下，执行第三腔室陈化处理，以在所述腔室组件的所述表面上
沉积第二陈化层，所述腔室组件设置在所述处理腔室中。
3.如权利要求2所述的方法，进一步包括：
在所述第三腔室陈化处理之前，使用原位干法清洗工艺或远程等离子体清
洗工艺执行腔室清洗处理。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一陈化层包括导电材料。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一陈化层包括氮化硅。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述导电陈化层包括非晶硅、掺杂非
晶硅、掺杂硅、掺杂多晶硅或掺杂碳化硅。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述导电陈化层具有大于约的
厚度。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一批基板和所述第二批基板的
每一批包括约1个基板至约6个基板。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述第一材料层和所述第二材料层是
含氮材料层。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述含氮材料包括氮化硅。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述基板具有约15,600cm2或更大的
表面积。
12.如权利要求1所述的方法，其中所述腔室组件由未经阳极化处理的裸
铝制成。
13.如权利要求1所述的方法，其中所述腔室组件由经阳极化处理的铝制
成。
14.一种在处理腔室中处理基板的方法，包括：
在不存在任何基板的情况下，执行第一腔室陈化处理，以在所述处理腔室
的处理区域中的腔室组件的表面上沉积第一陈化层；
在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：古田学，崔寿永，朴范洙，崔永镇，大森健次，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US