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一种去除氮化硅侧墙、形成晶体管、半导体器件的方法，去除氮化硅侧墙的方法包括：提供硅基底，硅基底上形成有栅极，栅极周围具有氮化硅侧墙，硅基底内形成有源区、漏区，且源区和漏区位于栅极的两侧；在栅极上以及基底的源区、漏区上形成金属层，进行第一退火...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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