【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
制造集成电路可涉及跨越半导体衬底形成导电线。可利用镶嵌工艺形成所述线。图1到3图解说明实例性现有技术镶嵌工艺。参照图1，半导体构造10包含基底12和在基底上方所形成的电绝缘材料14。基底可包含单晶硅。绝缘材料14可包含(例如)以下中的一者或一者以上:二氧化硅、氮化硅和各种掺杂氧化硅(例如，硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、磷硅酸盐玻璃(PSG)、氟硅酸盐玻璃(FSG)等)中的任一者。绝缘材料14可为均质的(如图所示)，或可在离散层中包含多种材料。形成多个延伸到材料14中的开口 16到18。所述开口可通过以下方式来形成:利用图案化光致抗蚀剂掩模(未显示)界定开口的位置，利用一种或一种以上蚀刻剂将开口延伸到所述位置中，且然后移除光致抗蚀剂掩模以留下在图1中所显示的结构。参照图2，在开口内提供材料20和22以给开口加衬，且然后用铜24填充经加衬开□。材料20可包含氮化钛、氮化钽、钽/钌、钽或氧化钛，且可用作屏障以封阻铜扩散。材料22可包含(例如)钌和氮，或作为另一实例可由钌组成。材料22可以层片(stratum)形式用于粘附随后沉积的铜24。参照...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.20 US 12/860,7451.一种将含铜材料沉积在多个开口内的方法，其包含所述含铜材料在所沉积含铜材料的温度大于100°c的条件下的物理气相沉积。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积包含以下序列的至少一次反复: 利用等离子体溅射沉积所述含铜材料，其中所溅射沉积材料的温度大于100°c ;和当维持所述所溅射沉积材料的所述温度大于100°c时，熄灭所述等离子体并提供足够的持续时间以使所述所溅射沉积材料表面扩散到空腔中，从而避免夹断所述空腔。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述温度在约300°C到约600°C的范围内。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述温度在约500°C到约600°C的范围内。5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述物理气相沉积期间利用稀有气体从靶溅射含铜材料。6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在所述含铜材料的所述物理气相沉积之前，在所述开口内形成含有金属和氮的组合物以给所述开口加衬。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述金属包含钌和钴中的一者或两者。8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在所述含铜材料的所述物理气相沉积之前，用包含钌和钴中的一者或两者的含金属材料给所述开口加衬。9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在所述含铜材料的所述物理气相沉积之前 用第一金属给所述开口加衬；和 通过使所述第一金属暴露于氮源来使所述第一金属氮化。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述金属由钌和钴中的一者或两者组成。11.一种在多个开口内提供导电材料的方法，其包含: 用含金属组合物给所述开口加衬；和 以下各项的至少一次反复: 在所述含金属组合物上方物理气相沉积含铜材料，所述物理气相沉积是在维持所沉积铜的温度低于或等于约0°c的条件下实施，以形成具有第一构形的含铜材料涂层；和 在所述含铜材料的温度在约180°c到约250°C的范围内的条件下使所述含铜材料涂层退火，以使所述涂层的所述含铜材料回流并由此形成所述含铜材料的第二构形。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述含金属组合物由钌和钴中的一者或两者组成。13.根据权利要求11所述的方法，其中所述含金属组合物由氮与钌和钴中的一者或两者的组合组成。14.根据权利要求11所述的方法，其中所述含铜材料的所述第一构形在所述开口内留下一些空隙，且所述含铜材料的所述第二构形从所述开口移出所述空隙。15.—种在多个开口内提供导电材料的方法,其包含: 用含有金属和氮的组合物给所述开口加衬；和 用含铜材料至少部分地填充所述经加衬开口。16.根据权利要求15所述的方法，其中所述用含铜材料至少部分地填充所述开口利用所述含铜材料在使所沉积含铜材料的温度大于100°...
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