【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本揭示是有关于镭射处理系统。尤其本揭示是有关于藉由具有经整形时间廓型的镭射脉冲而以供切断导电性链接及/或微加工半导体装置的镭射系统及方法。
技术介绍
运用于处理动态随机存取记忆体(DRAM)和其他半导体装置的镭射处理系统通常是使用Q切换二极体浦汲固态镭射。例如，当处理记忆体装置时，通常会运用单一镭射脉冲以切断导电性链接结构。而在其他的工业应用项目方面，镭射刻划处理可在进行分割之前用以自半导体装置晶圆上移除金属及介电半导体材料。镭射也可用以例如裁修离散和嵌入式元件的电阻值。有些镭射处理系统利用不同的操作模式以执行不同功能。例如，可自本专利申请案所有权人的美国奥瑞网州波特兰市Electro Scientific Industries, Inc.获用的ESIModel 9830即利用一种按约50KHz的脉冲重复频率而操作的二极体浦汲Q切换钕掺质钒酸钇(NchYVO4)镭射来进行半导体记忆体及相关装置的镭射处理。这种镭射系统可提供用以处理链接结构的脉冲化镭射输出以及用于扫描光束至作品靶材的连续波(CW)镭射输出。即如另一范例，亦可自 Electro Scientific...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.02 US 12/753,6591.一种用于藉由镭射以对工件进行处理的方法，该方法包含: 储存对应于多个时间性脉冲廓型的资料，各个时间性脉冲廓型为关联于该工件之上或之内的个别靶材类型结构，其中所述多个时间性脉冲廓型之一者含有三角形形状，此形状为在第一时间处按第一固定速率自初始功率值提高而在第二时间处至尖峰功率值，并且在该第二时间处按第二固定速率自该尖峰功率值减少而在第三时间处返回至该初始功率值； 选定位于该工件之上或之内的结构以供处理，该选定结构关联于含有该三角形形状的时间性脉冲廓型； 根据该选定结构，自所述多个时间性脉冲廓型中选定含有该三角形形状的时间性脉冲廓型； 产生含有该选定时间性脉冲廓型的镭射脉冲；以及 将所产生的镭射脉冲导引至该工件以藉由该所产生镭射脉冲来处理该选定结构。2.如申请专利范围第I项所述的方法，进一步包含: 将含有该三角形形状的时间性脉冲廓型关联于含有未经钝化导电性链接结构的靶材类型，其中该选定结构是位在该相关联靶材类型之内。3.如申请专利范围第2项所述 的方法，其中将所产生镭射脉冲导引至该工件以处理该选定结构包含藉由含有该三角形时间性脉冲廓型的所产生镭射脉冲以切断未经钝化导电性链接结构，该方法进一步包含: 选定该第一固定速率，藉以在该第一时间与该第二时间之间的周期过程里控制加热该导电性链接结构的速率；以及 选定该第二固定速率，藉以在该第二时间与该第三时间之间的周期过程里控制冷却该导电性链接结构的速率。4.如申请专利范围第I项所述的方法，进一步包含: 将含有该三角形形状的时间性脉冲廓型关联于含有经构成于基板上的裸露金属的靶材类型。5.如申请专利范围第4项所述的方法，其中将所产生的镭射脉冲导引至该工件以处理该选定结构包含刻划该裸露金属的局部。6.如申请专利范围第I项所述的方法，进一步包含: 根据该相关联靶材类型结构的特征选定该第一固定速率以与该第二固定速率大约相同。7.如申请专利范围第I项所述的方法，进一步包含根据该相关联靶材类型结构的特征选定该第一固定速率以显著大于该第二固定速率。8.如申请专利范围第I项所述的方法，进一步包含: 根据该相关联靶材类型结构的特征选定该第一固定速率以显著小于该第二固定速率。9.如申请专利范围第I项所述的方法，进一步包含: 根据该相关联靶材类型结构的特征选定该第二时间及该第三时间的至少一者。10.一种用以处理工件的镭射处理系统，该系统包含: 一记忆体装置，此者储存对应于多个时间性脉冲廓型的资料，各个时间性脉冲廓型为关联于该工件之上或之内的个别靶材类型结构，其中所述多个时间性脉冲廓型之一者含有三角形形状，此形状为在第一时间处按第一固定速率自初始功率值提高而在第二时间处至尖峰功率值，并且在该第二时间处按第二固定速率自该尖峰功率值减少而在第三时间处返回至该初始功率值； 控制器，此者经组态设定以: 选定位于该工件之上或之内的结构以供处理，该选定结构关联于含有该三角形形状的时间性脉冲廓型；以及 根据该选定结构，自所述多个时间性脉冲廓型中选定含有该三角形形状的时间性脉冲廓型； 镭射来源，此者用以产生含有该选定时间性脉冲廓型的镭射脉冲；以及 光学元件，此者用以将所产生的镭射脉冲导引至该工件以藉由该所产生镭射脉冲来...
【专利技术属性】
技术研发人员：奉H曹，布莱恩·L·普，安德鲁·虎柏，
申请(专利权)人：伊雷克托科学工业股份有限公司，
类型：
国别省市：
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