扩张性膜、切割膜以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于获得一种低污染、具有对于以往的烯烃系扩张性基材而言不充分的高扩张性、且不易颈缩的烯烃系扩张性基材及切割膜。为了达成上述课题，本发明专利技术提供一种扩张性膜，其为含有在23℃时的拉伸弹性模量为100MPa～500MPa的1-丁烯·α-烯烃共聚物（A）、以及包含丙烯·α-烯烃共聚物（b1）且在23℃时的拉伸弹性模量为10MPa～50MPa的丙烯系弹性体组合物（B）的基材，并且相对于（A）与（B）的合计100重量份，上述（B）的含量为30重量份～70重量份。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种扩张性膜及含有该扩张性膜的切割膜。切割膜在将半导体晶片切断 分割成元件小片(芯片)并以拾取方式自动回收元件的工序中作为贴附于晶片的表面或背面的固定支撑用粘着片是有用的。另外，本专利技术涉及一种使用该切割膜的半导体装置的制造方法以及通过该制造方法而获得的半导体装置。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，利用旋转的圆盘刀(刀片)将形成有规定的电路图案的硅晶片切断分离(切割)成元件小片。此时，通常采用如下方法将硅晶片贴附于粘着膜上并将硅晶片切断成小片状，对粘着膜在纵横方向上均进行拉伸，扩大元件的间隔而进行拾取(参照专利文献I)。另外，近年来，与刀片切割相比热损伤少、可进行高精细加工的利用激光光的光吸收烧蚀的半导体基板的切割方法(激光烧蚀切割)受到关注。该技术中，提出了将被加工物支撑固定于切割片上并通过激光光线对被加工物进行切割等(参照专利文献 2)。在以蓝宝石、镓、砷等为材料的发光二极管(LED)的制造工序中，由于截断后的元件尺寸为数百微米左右，因此要求通过切割用粘着膜的充分扩张来扩大元件的间隔。另外， LED用基板由于与硅相比脆性高，因此在以往的刀片切割时容易产生截断本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：林下英司，尾崎胜敏，酒井充，大池节子，
申请(专利权)人：三井化学株式会社，
类型：
国别省市：