【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体镀膜设备用可控温加热盘，确切地说是一种无气道式控温盘，属于半导体薄膜沉积应用及制造
技术介绍
半导体设备在进行沉积反应时往往需要使晶圆及腔室加热或维持在沉积反应所需要的温度，所以加热盘必需具备加热结构以满足给晶圆预热的目的。大多数半导体薄膜沉积设备，在沉积过程中还会有等离子体参与沉积反应，因等离子体能量的释放以及化学气体间反应的能量释放，加热盘及晶圆的温度会随着射频及工艺时间的增加温度会不断的上升，如果在进行相同温度下的工艺，需要等待加热盘降到相同的温度后才能进行，这样会耗费大量的时间，设备的产能相对比较低。如果晶圆和加热盘的温度升温过快，晶圆和加热盘的温度会超出薄膜所需承受的温度，致使薄膜失败。为了解决工艺过程中加热盘温升过快降温慢的问题，我们需要有能够自动调节加热盘温度的系统，来保证加热盘的温度。为了更好的控制晶圆的温度，我们需要将晶圆的温度传递到加热盘上，通过控制加热盘的温度来控制晶圆表面的温度。但半导体薄膜沉积反应多是在真空条件下进行，真空条件热传导主要靠辐射，热传导效率低，热量会在晶圆表面聚集。为了更好的将晶圆上的热量传递到加热盘上，加热盘与晶圆间需要通入一层导热介质，以便加热盘与晶圆间快速的进行热交换，同时能更好的改善晶圆温度的均匀性。
技术实现思路
本专利技术以解决上述问题为目的，主要解决现有半导体镀膜设备热交换效率及产能较低，晶圆温度不够均匀致使薄膜失败的技术问题。为实现上述目的，本专利技术采用下述技术方案：无气道式控温盘，主要包括三个部件，即：加热盘上盘体、加热盘下盘体及加热盘基座。各部件之间采用焊接的方式...
【技术保护点】
无气道式控温盘，其特征在于：它主要包括三个部件，即：加热盘上盘体、加热盘下盘体及加热盘基座，所述各部件之间采用焊接的方式进行连接，采用媒介加热盘进行温度控制，每个部件上有不同的结构，形成加热盘的媒介通道，进而控制加热盘的温度，所述加热盘采用媒介质进行冷却和加热，利用媒介的循环，对加热盘进行温度的控制，媒介通道分布在加热盘内部。
【技术特征摘要】
1.无气道式控温盘，其特征在于：它主要包括三个部件，即：加热盘上盘体、加热盘下盘体及加热盘基座，所述各部件之间采用焊接的方式进行连接，采用媒介加热盘进行温度控制，每个部件上有不同的结构，形成加热盘的媒介通道，进而控制加热盘的温度，所述加热盘采用媒介质进行冷却和加热，利用媒介的循环，对加热盘进行温度的控制，媒介通道分布在加热盘内部。2.如权利要求1所述无气道式控温盘，其特征在于：所述加热盘上盘体的下表面开有媒介通道孔；所述加热盘上盘体的下表面还开有一个热电偶孔；所述加热盘上盘体的下表面制有陶...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕光泉，吴凤丽，郑英杰，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21
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