【技术实现步骤摘要】
所属
本技术涉及一种双区加热的等离子增强化学气相沉积腔体晶圆基座,属于半导体芯片生产设备的
技术介绍
随着半导体芯片制造技术的发展,300mm直径尺寸晶圆的芯片制造已经成为当今半导体芯片制造业的主流。在芯片制造过程中,等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术被广泛应用于硅的氧化物、氮化物和多晶硅等薄膜的沉积工艺。300mm的晶圆尺寸较大,在等离子增强化学气相沉积过程中,晶圆表面中心区域和边缘区域的薄膜沉积速率会有差异,而造成整片晶圆薄膜厚度的均匀性下降。薄膜厚度的均匀性差会影响后续工艺的生产,严重时会造成晶圆报废。目前传统的300mm等离子增强化学气相沉积设备的腔体晶圆基座(Heater)普遍采用单区加热温控,无法通过改变晶圆基座不同区域的温度来调节薄膜沉积速率和改善厚度的均匀性。
技术实现思路
本技术设计的双区加热的腔体晶圆基座(DualZoneHeater)是在传统的腔体晶圆基座技术的基础上引入了双区加热温控技术,可以独立加热腔体晶圆基座中心区域和边缘区域。具体结构为:包括基座主体,所述基座主体上设置晶圆凹槽,其特征在于:晶圆凹槽分为中心区域和边缘区域两部分,中心区域和边缘区域采用两套内嵌加热元件及温度传感器来独立加热,中心区域位置设置中心区域内嵌加热元件,中心区域内嵌加热元件连接中心区域加热元件电源线和中心区域热电偶温度传感器,边缘区域位置设置边缘区域内嵌加热元件,边缘区域内嵌加热元件连接边缘区域加热元件电源线和边缘区域热电偶温度传感器。以基座主体的中心为圆心,直径150~250mm的区域为中心区域,以晶圆凹槽的外缘为基准,向内侧延伸25~75 ...
【技术保护点】
一种双区加热的等离子增强化学气相沉积腔体晶圆基座,包括基座主体,所述基座主体上设置晶圆凹槽,其特征在于:晶圆凹槽分为中心区域和边缘区域两部分,中心区域和边缘区域采用两套内嵌加热元件及温度传感器来独立加热,中心区域位置设置中心区域内嵌加热元件,中心区域内嵌加热元件连接中心区域加热元件电源线和中心区域热电偶温度传感器,边缘区域位置设置边缘区域内嵌加热元件,边缘区域内嵌加热元件连接边缘区域加热元件电源线和边缘区域热电偶温度传感器。
【技术特征摘要】
1.一种双区加热的等离子增强化学气相沉积腔体晶圆基座,包括基座主体,所述基座主体上设置晶圆凹槽,其特征在于:晶圆凹槽分为中心区域和边缘区域两部分,中心区域和边缘区域采用两套内嵌加热元件及温度传感器来独立加热,中心区域位置设置中心区域内嵌加热元件,中心区域内嵌加热元件连接中心区域加热元件电源线和中心区域热电偶温度传感器,边缘区域位置设置边缘区域内嵌加热元件,边缘区域内嵌加热元件连接边缘区域加热元件电源线和边缘区...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐光,
申请(专利权)人:上海陛通半导体能源科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:上海;31
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