本发明提供一种歧管组件安装治具及安装方法。歧管组件包括多个沿水平方向延伸的水平组件以及多个沿垂直方向延伸的垂直组件，在歧管组件完成安装后，多个水平组件和多个垂直组件依次连接并形成闭环结构；歧管组件安装治具包括治具基板及定位基准板，治具基...

本发明公开了一种高应力氮化硅薄膜的形成方法，所述方法包括在基底沉积氮化硅薄膜之前，向反应腔室内通入含硅气体硅烷、氨气和笑气，在腔体表面沉积保护腔体的氧化硅薄膜的步骤。本发明通过控制沉积的氧化硅薄膜的应力和厚度，使得该氧化硅薄膜在沉积高应...

本发明提供一种半导体器件及其制备方法。本发明提供的半导体器件制备方法包括步骤：S1：准备基底，所述基底中形成有互连孔；S2：于所述互连孔的内表面形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层包括金属有机骨架化合物层；S3：于所述扩散阻挡层的内侧形成互连...

本发明提供一种PVD磁控溅射镀膜设备，包括：腔体；溅射部；承载加热部，包含用于对晶圆进行承载并加热的加热盘；顶针部，包含多根顶针以及顶针升降驱动单元；以及形态检测部，用于检测镀膜后的晶圆的形态，包含多个测距传感器、以及位于腔体外的处理器...

本申请公开了一种薄膜沉积设备，包括：工艺腔、磁流体加热器、悬浮稳定装置和旋转传动装置；磁流体加热器包括平台和旋转基座；旋转基座连接平台下部，旋转基座可带动磁流体加热器旋转；悬浮稳定装置包括分别设置于工艺腔和磁流体加热器上的磁铁对；旋转传...

本发明公开了磁控溅射设备中磁铁组件辅助安装治具及方法，其中磁控溅射设备中磁铁组件辅助安装治具包括外固定圈

本发明提供一种腔盖结构、半导体工艺设备及其使用方法，腔盖结构嵌入有观察窗，观察窗为呈包括环状结构和突出部的航海轮盘状的透明导槽结构，突出部设置于环状结构的外环上并沿环状结构的径向向外延伸。本发明通过设置包括环状结构和突出部的观察窗，在保...

本发明涉及一种晶圆防滑片装置，包括设置有若干活动孔和吸附孔的基座，活动孔内活动插设有顶销，吸附孔内密封固定有真空螺钉；缸体组件安装于基座下方，包括密封缸体

本发明涉及晶元测距技术领域，公开一种测距机构及取放装置，测距机构包括测量组件和调节组件，测量组件包括测距筒、第一弹性件和测距触头，第一弹性件位于测距筒内，测距触头的一端位于测距筒内且与第一弹性件连接，测距触头的另一端位于测距筒外且能够抵...

本发明公开了一种磁控溅射设备，通过将传统的适配器

本发明提供了一种压力调节装置及包含其的沉积设备、系统及压力控制方法。压力调节装置包括：气缸组件以及控制组件；气缸组件设置于工艺腔体的抽气管路内，且气缸组件包括至少一气缸单元，气缸单元包括：缸体、活塞杆以及阀板；活塞杆的内端与缸体滑动密封...

本发明提供一种供气装置、化学气相沉积设备及方法。供气装置包括喷淋基座、配气盘及喷淋头，所述配气盘和喷淋头均与喷淋基座相连接，且喷淋头环设于配气盘的外围，配气盘与喷淋基座之间形成多个相互隔离的配气腔，喷淋头与配气盘之间形成多个相互隔离的喷...

本发明提供了一种接地端子底座及包含其的磁控溅射装置。接地端子底座包括座体；座体呈圆台形并具有与磁控溅射装置的基座安装配合的安装孔；座体顶部设有呈阵列排列并用于增大比表面积且能够阻挡溅射物质到达自身底部的沉积沟槽，座体顶部先后采用喷砂以及...

本申请公开了一种气相沉积设备和晶圆应力调整方法，涉及半导体技术领域。气相沉积设备包括沉积室、第一供气组件和阻挡盘组件。第一供气组件用于向晶圆的背面提供工艺气体，阻挡盘组件包括阻挡盘和旋转驱动件，阻挡盘可转动地设置于第一供气组件所形成的气...

本发明提供了一种接地端子底座及包含其的磁控溅射电介质薄膜沉积装置。接地端子底座包括座体；座体呈圆台形并具有与沉积装置的晶圆承载台安装配合的安装孔；座体顶部设有沿其轴向延伸且呈阵列排列并用于增大比表面积且能够阻挡溅射物质到达孔底的沉积孔；...

本申请公开了一种晶圆生产设备和晶圆生产工艺，涉及半导体技术领域。本申请的晶圆生产设备中用于冷却晶圆的冷却腔室中的气压可以一直维持在适于冷却的气压，不用反复充入、抽出保护气体。晶圆在进入（或送出）冷却腔室之前，只需要调节第一调节腔室（或第...

本发明公开了一种气相沉积设备，该气相沉积设备包括：加热装置以及边缘组件；加热装置包括加热面，加热面用于对放置于加热面一侧的晶圆进行加热；加热面包括边缘分部；边缘组件包括第一边缘结构，第一边缘结构分别与边缘分部以及晶圆接触；第一边缘结构呈...

本发明公开了一种高产能AlSi或AlSiCu薄膜的沉积方法，包括以下步骤：S1：提供PVD反应腔体，反应腔体内设置有加热器，加热器上设置有一导热结构，加热器上设置有顶针，靶材为AlSi或AlSiCu；S2：加热器温度设置在150

本申请公开了一种半导体加热装置和气相沉积设备，涉及半导体技术领域。半导体加热装置包括加热组件和声波源组件，加热组件具有用于支撑半导体器件的支撑面，加热组件用于加热支撑面上的半导体器件；声波源组件连接于加热组件，用于向加热组件施加声波震动...

本发明公开了一种溅射工艺反应腔，通过设置第一冷却件和第二冷却件，同时第一冷却件和第二冷却件的上下表面均各自设置了多个能够喷出冷却介质的冷却孔，因此通过这样通过第一冷却件和第二冷却件能够同时对晶圆的上下表面以及加热基座和腔室整体进行冷却降...