接地端子底座及包含其的磁控溅射装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种接地端子底座及包含其的磁控溅射装置。接地端子底座包括座体；座体呈圆台形并具有与磁控溅射装置的基座安装配合的安装孔；座体顶部设有呈阵列排列并用于增大比表面积且能够阻挡溅射物质到达自身底部的沉积沟槽，座体顶部先后采用喷砂以及熔射处理得到表面粗糙结构；其中，喷砂处理后的表面粗糙度Ra为1～10μm；熔射处理得到的熔射层的厚度为0.06～0.15μm，熔射层的表面粗糙度Ra为15～50μm。本发明专利技术实施例通过在接地端子底座顶部形成沟槽阵列使其具有足够大的比表面积，使得沉积过程中晶圆附近的工艺腔室表面的电荷密度显著降低，其表面电压接近接地电压，维持等离子体放电稳定进行，避免出现薄膜沉积速率及薄膜性能的偏离。速率及薄膜性能的偏离。速率及薄膜性能的偏离。

【技术实现步骤摘要】
接地端子底座及包含其的磁控溅射装置


[0001]本专利技术涉及半导体设备
，特别涉及一种接地端子底座及包含其的磁控溅射电介质薄膜沉积装置。

技术介绍

[0002]在磁控溅射装置中，溅射电源向靶材输出溅射功率，通过在真空腔室中被离化的惰性气体的离子持续轰击靶材表面，在靶材附近磁控管作用下，可以迫使等离子中的电子按照一定的轨道运动，增加了电子的运动时间，从而增加电子与电离的气体发生碰撞的几率，从而可以将靶材表面的材料轰击出来，最终沉积到基片表面，并形成工艺所需的薄膜。为了维持稳定的沉积速率及薄膜性能，一般都采用交流电源（射频或脉冲直流）进行溅射沉积电介质薄膜。
[0003]图1为典型的磁控溅射装置的剖视图。如图1所示，磁控溅射装置100包括工艺腔室101、 靶材102、靶材背板103，磁控管104和电机105，电机105用于驱动磁控管104绕中心轴旋转。溅射电源106与靶材背板103相连接。其中，在工艺腔室101内靶材102的下方设置有基座107，用于承载衬底108。靶材102固定在靶材背板103的下表面，并暴露在工艺腔室101的内部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种接地端子底座，其特征在于，所述接地端子底座安装于磁控溅射装置内，所述接地端子底座包括座体；所述座体呈圆台形并具有与所述磁控溅射装置的基座安装配合的安装孔；所述座体顶部设有呈阵列排列并用于增大比表面积且能够阻挡溅射物质到达自身底部的沉积沟槽；所述座体顶部先后采用喷砂以及熔射处理得到表面粗糙结构；其中，喷砂处理后的表面粗糙度Ra为1～10μm；熔射处理得到的熔射层的厚度为0.06～0.15μm，所述熔射层的表面粗糙度Ra为15～50μm。2.根据权利要求1所述的接地端子底座，其特征在于，所述沉积沟槽为同心环形沟槽；或者所述沉积沟槽为沿周向均匀间隔排列且从中心向外周延伸的扇形槽。3.根据权利要求2所述的接地端子底座，其特征在于，所述扇形槽偏离所述座体的径向方向。4.根据权利要求2所述的接地端子底座，其特征在于，所述座体顶部表面形成有纹路结构；所述纹路结构包括以下一者或其任意组合：锯齿形纹路或者螺纹。...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪昌州，宋维聪，王青仙，
申请(专利权)人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：