本发明提供一种伸缩驱动组件结构，包括驱动单元和多个滑动伸缩单元，多个滑动伸缩单元与多个待伸缩结构一一对应连接；各滑动伸缩单元包括推杆、可伸缩管、丝杆、滑块、导轨、带动块、固定块、阻尼块、第一限位块和第二限位块；可伸缩管一端与待伸缩结构相...

本发明提供一种可防误溅射的物理气相沉积设备，包括腔体、溅射装置、基座、伸缩遮挡模块及伸缩驱动机构；基座和伸缩遮挡模块位于腔体内，且伸缩遮挡模块位于溅射装置和基座之间，包括多个不同内径的可动遮蔽环，多个可动遮蔽环自上而下设置，各可动遮蔽环...

本发明提供一种可实现便捷控温的真空镀膜工艺设备及方法。设备包括溅射源、基座及腔体，溅射源位于腔体顶部，基座位于腔体内，基座表面和/或腔体内壁上形成有复合镀层，复合镀层自下而上依次包括金属层、第一陶瓷层和第二陶瓷层，第一陶瓷层和第二陶瓷层...

本发明提供一种模块化半导体设备传输腔体单元及晶圆传输系统，传输腔体单元包括：传送腔体，为正多边形结构，其每个边上均设有传送通道，每一个所述传送通道均可与外挂模块对接或通过连通结构与另一传送腔体对接；移动组件，用于实现晶圆的抓取和在相邻腔...

本发明提供一种利用电子凸轮控制的气相沉积方法及装置。沉积方法包括步骤：在晶圆变速旋转的情况下进行气相沉积以于晶圆表面形成薄膜；收集整理气相沉积过程中的相关数据，并进行表征分析得到原始薄膜均匀性数据分布曲线和原始晶圆旋转速度曲线；以提高薄...

本发明提供一种用于改善薄膜均匀性的镀膜设备，包括：腔体、沉积源、晶圆基座，靶材位于腔体的上部，磁铁位于靶材上方，晶圆基座位于腔体下部，晶圆基座包括基座表面及位于基座表面下方的平板电极，平板电极用于提供偏压场，平板电极被一个或多个绝缘环分...

本发明提供一种具有工艺参数智能调节功能的气相沉积设备及方法。设备包括相互连接的气相沉积腔室、综合控制模块、工艺参数数据处理模块及模型训练与辅助加速模块；综合控制模块用于控制气相沉积腔室、工艺参数数据处理模块及模型训练与辅助加速模块；气相...

本发明提供一种用于填充高深宽比深孔的兆声波辅助薄膜沉积设备及方法，用于填充深宽比大于5的深孔。设备包括腔体、基座、支撑轴、兆声波换能器、兆声波传递层及兆声波隔绝密封环；基座、兆声波换能器及兆声波传递层均位于腔体内；基座、兆声波换能器及兆...

本发明提供一种基于多工艺腔传送的沉积设备及晶圆沉积方法，设备包括上料腔、清洁腔、定位腔、沉积腔、冷却腔、下料腔、机械手臂组件及传送室，各工艺腔均与传送室相连通，机械手臂组件设置于传送室中，包括至少两个机械手臂单元，实现待处理晶圆基于传送...

本发明提供一种氮化铝基薄膜结构、半导体器件及其制备方法，氮化铝基薄膜的制备包括：提供形成有底部电极层的半导体基底，对底部电极层进行表面改性处理形成溅射辅助表面，在溅射辅助表面上形成第一氮化铝功能层，在第一氮化铝功能层上形成第二氮化铝功能...

本发明提供一种可去除径向力的旋转装置、加热器旋转系统及半导体设备。旋转装置包括固定板、马达、第一同步轮、第二同步轮、第三同步轮及同步带；固定板上设置有通孔；第一同步轮、第二同步轮及第三同步轮均设置于固定板的第一表面，第二同步轮的轴孔与通...

本发明提供一种可实现晶圆平稳升降的气相沉积设备，包括腔体、载台、载台支撑杆、连接板、气缸、气缸底座、底座固定杆、升降滚动滑轮、联动轴、支撑杆托盘及升降基座；载台支撑杆一端与载台的底部相连接，另一端延伸到支撑杆托盘上；连接板与腔体的底部相...

本发明提供一种用于晶圆等离子体刻蚀的方法和设备，包括腔体，等离子体产生装置，进气环装置，晶圆加热盘，晶圆旋转装置，磁铁盘装置和屏蔽结构；所述等离子体装置在腔体内产生感应耦合等离子体，所述进气环装置，采用圆环状结构，在圆环内壁有多个出气口...

本发明提供一种半导体填孔真空系统及填孔方法，真空系统包括：至少一个晶圆传送腔结构、至少一个化学气相沉积腔结构以及至少一个等离子体刻蚀腔结构；化学气相沉积腔结构用于在待处理晶圆上的孔结构中进行介质膜沉积；等离子体刻蚀腔结构用于对经过化学气...

本发明提供一种可实时检测机械微颗粒的半导体工艺设备和方法。设备包括中转腔室、传送腔室、工艺腔室、第一机械手臂、第二机械手臂、供气模块、排气模块、控制模块、第一压力计、第二压力计、光学检测模块及信号处理模块；中转腔室一端与晶圆装载台相连接...

本发明提供一种基于磁耦合旋转的物理气相沉积设备，包括腔体、支撑轴、主驱动模块、从动模块、主磁旋转模块、真空绝缘衬套、从动磁力旋转模块、托举环、加热器及遮蔽环；真空绝缘衬套位于底板内；主驱动模块和从动模块均位于底板的下部；主驱动模块包括主...

本发明提供一种具有高效清洁能力的化学气相沉积设备及半导体工艺方法。设备包括腔体、基座、沉积源装置、等离子体源及适配器；基座位于腔体内，沉积源装置位于腔体的顶部，与工艺气体源相连通；等离子体源位于腔体外，且与适配器相连通；适配器位于腔体内...

本发明提供一种往复式旋转CVD设备及应用方法，包括腔体，晶圆加热基座，旋转装置，所述旋转装置位于所述腔体外，包括旋转动力机构及旋转密封机构，所述旋转密封机构包括旋转件及固定件；其中，所述固定件与所述腔体固定密封连接，所述旋转件与所述晶圆...

本发明提供物理气相沉积材料的方法和设备。本发明提供一种在腔体内用永磁装置通过直流、交流或脉冲直流磁控溅射将金属氮化物或金属氧化物薄膜沉积到晶圆表面的方法，所述永磁装置配合电磁线圈和软磁环产生初级磁场和次级磁场；其中，所述薄膜沉积所用反应...

本发明提供一种用于改善反应溅射膜层均匀性的物理气相沉积设备，包括腔体、靶材承载装置、基座、环状管路、多个喷嘴、挡板及环形压环；腔体的下部设置有排气口；基座位于腔体内；挡板位于腔体内，且位于靶材及基座的外围；环状管路位于靶材与基座之间，环...