本发明公开了一种溅射工艺反应腔，通过设置第一冷却件和第二冷却件，同时第一冷却件和第二冷却件的上下表面均各自设置了多个能够喷出冷却介质的冷却孔，因此通过这样通过第一冷却件和第二冷却件能够同时对晶圆的上下表面以及加热基座和腔室整体进行冷却降...

本发明提供一种二氧化硅薄膜的低温沉积方法及器件制备方法。低温沉积方法包括步骤：S1：提供化学气相沉积腔室，对腔室抽真空至第一真空度，将腔室预热至不高于150℃的第一温度，预热过程中通入N2O气体，直至腔室内环境稳定；S2：将待沉积的衬底...

本发明提供一种用于反应溅射的物理气相沉积设备，包括：溅射腔体、溅射组件、基座及导气组件；基座位于溅射腔体内，用于承载基板；溅射组件位于溅射腔体顶部，用于产生溅射粒子；导气组件位于溅射腔体内，且间隔设置于基座上方，导气组件包括进气管、3个...

本发明公开了一种连续制备低温氮化硅薄膜中降低晶圆表面温度的方法，通过在连续形成低温氮化硅薄膜的过程中对氛围气体氮气的温度进行控制，限定其初始氮气温度为20～25℃，并在检测到晶圆表面温度上升一定值后，通过对氮气进行冷却的方式下调氮气温度...

本发明提供一种射频磁控溅射设备，其包括：腔体、溅射组件、基座、支撑轴、挡板及阳极压环；所述溅射组件位于腔体顶部；所述基座位于腔体内，用于承载基板；所述支撑轴一端与基座底部连接，另一端向下延伸到腔体外部；所述挡板和阳极压环位于腔体内，挡板...

本申请提供半导体器件及其制作方法和电子设备，涉及半导体领域。半导体器件的制作方法包括采用原子层沉积工艺在基体上分别沉积第一介电层和第二介电层，且沉积第二介电层时的第二氧前体的浓度高于沉积第一介电层时的第一氧前体的浓度。在本实施例中，第一...

本发明涉及一种磁控溅射设备及工艺流程，包括下部设置有基台的腔体；密封扣合于腔体的开口的腔盖；靶材本体的溅射面为凹面，靶材本体厚度均匀；背板，背板与靶材本体形状相匹配，靶材本体贴合安装在背板上，背板安装于腔盖上；永磁组件设置于背板与腔盖之...

本发明公开了一种形成低温碳氧化硅薄膜的方法，所述方法包括：将PECVD设备的真空反应腔室升温至60～100℃后，在真空反应腔室内放入基底，然后通入硅烷、二氧化碳和氦气，设置高频功率源的功率值为300～550 W，低频功率源的功率值为90...

本发明公开了一种12英寸超高均匀性非晶氧化硅薄膜的化学气相沉积方法，基于国产化等离子体增强化学气相沉积系统制备，制备步骤包括：使用等离子体清洗机对真空腔体内部进行清洁处理；将12英寸基底置于真空腔体内，并通入气体进行预热；然后在真空腔体...

本发明提供一种磁控溅射设备及方法。磁控溅射设备包括溅射腔体、基座、射频电源及磁铁装置；基座位于溅射腔体内，与射频电源电连接，磁铁装置位于溅射腔体的顶部；磁铁装置包括第一护磁环、第二护磁环、护磁板和多个磁铁，第二护磁环环设于第一护磁环的外...

本发明涉及一种超高真空的旋转装置，包括：腔体、旋转机构和直线模组，旋转机构包括导杆和旋转轴，旋转轴通过第一轴承与腔体转动连接，导杆通过连接孔贯穿腔体且插入旋转轴内，导杆上设置有螺旋槽，旋转轴内固定有导向块，导向块与螺旋槽配合，直线模组通...

本发明提供一种氮化硅薄膜的制备方法，包括步骤：S1：提供PECVD腔体，对腔体内部进行清洁；S2：将腔体抽真空至1mTorr

本发明提供了一种顶针机构水平调节装置。其包括多个顶针、顶升机构、驱动组件以及角度调节机构；多个顶针均位于腔体内；顶升机构设置于多个顶针下方并用于顶升多个顶针；顶升机构顶部贯穿腔体底部并与腔体底部相连；顶升机构包括位于顶升机构底部的活动座...

本发明提供一种化学气相沉积设备用负载锁定设备，包括：负载锁定主体、隔热板、涡流发生组件、上和下进气装置，负载锁定主体包括间隔设置的上、下层腔室，上、下层腔室中分别设置有第一、第二晶圆支架；隔热板设置于上、下层腔室之间；涡流发生组件包括涡...

本发明提供一种ALD反应腔装置及ALD镀膜设备，ALD反应腔装置包括：反应单元包括基板和盖板，基板上开设有反应腔，反应腔用于容纳待加工基体，盖板密封连接于基板的上方；注气单元包括注气件和供气系统，注气件内设置有相互独立的第一、第二气体注...

本发明提供一种薄膜沉积设备，包括：用于承载基板的基座、夹持模块和旋转模块；夹持模块包括两个以上夹持器及第一驱动单元，夹持器与基板的边缘形貌相匹配，第一驱动单元包括推杆及气缸，推杆与夹持器及气缸相连接，在气缸驱动下，推杆带动夹持器移动，以...

本发明提供一种环形屏蔽件及薄膜沉积设备，所述环形屏蔽件包括环形屏蔽体，所述环形屏蔽体上设有屏蔽件限位部，所述屏蔽件限位部用于与薄膜沉积设备的加热器上的加热器限位部相配合，以限制环形屏蔽件相对于加热器偏移。在使用时，本环形屏蔽件将遮盖在位...

本发明提供一种带关闭按钮的腔体盖开合结构及气相沉积设备，该腔体盖开合结构包括腔体连接模块、腔体盖固定块、助力模块及关闭按钮，其中，助力模包括自下而上依次设置的联动杆、下连接块、下锁钩、上锁钩、中连接块、弹性模块及上连接块，当关闭按钮被按...

本发明提供一种基于Ether CAT极速控制技术的阀控系统，包括上位机、处理器、信号传输模块和原子层沉积阀；所述处理器与所述上位机通信连接；所述处理器用于接收上位机发出的控制信息，并对控制信息进行处理得到控制指令；所述信号传输模块连接所...

本发明提供一种基于工业以太网的沉积设备控制系统，包括上位机、终端、通信传输链路模块和腔体控制系统；所述终端包括第一交换机和终端设备；基于传统以太网，上位机通过所述第一交换机与所述终端设备进行通信链接；所述通信传输链路模块一端连接所述第一...