气相沉积设备和晶圆应力调整方法技术

本申请公开了一种气相沉积设备和晶圆应力调整方法，涉及半导体技术领域。气相沉积设备包括沉积室、第一供气组件和阻挡盘组件。第一供气组件用于向晶圆的背面提供工艺气体，阻挡盘组件包括阻挡盘和旋转驱动件，阻挡盘可转动地设置于第一供气组件所形成的气流路径中，阻挡盘在围绕转动轴线的周向上具有阻挡区域和避让区域，工艺气体可通过避让区域抵达晶圆的背面，旋转驱动件用于驱动阻挡盘绕转动轴线转动，以调节避让区域和阻挡区域在周向上的位置，从而调节晶圆背面的沉积区域。因此本设备能够更加灵活地对晶圆背面进行镀膜，从而调整晶圆的应力分布，使其趋于平整。本申请实施例提供的晶圆应力调整方法使用上述的气相沉积设备来实现。设备来实现。设备来实现。

【技术实现步骤摘要】
气相沉积设备和晶圆应力调整方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种气相沉积设备和晶圆应力调整方法。

技术介绍

由于正面工艺带来的晶圆变化，可能导致晶圆应力翘曲度太大；后续进行后面的工序时，难以铺光或者影响晶圆产品性能。相关技术中的一些做法是在晶圆的背面镀膜，通过与晶圆翘曲度相反的方向用PECVD（plasma enhanced chemical vapor deposition，等离子体增强化学气相沉积）的方式镀膜，使得晶圆应力中和，令晶圆趋于平整，也即翘曲度达到要求。但是随着晶圆加工工艺变的复杂，晶圆的翘曲度在不同方向上可能存在不同，现有的晶圆应力中和方法对晶圆翘曲度的调整效果不佳。

技术实现思路

[0002]本申请的目的包括，提供一种气相沉积设备和晶圆应力调整方法，其能够针对不同翘曲情况的晶圆进行应力调整，使其趋于平整。
[0003]本申请的实施例可以这样实现：第一方面，本申请提供一种气相沉积设备，用于在晶圆表面沉积薄膜，晶圆具有相对的正面和背面，气相沉积设备包括：沉积室，沉积室内设置有用于支撑晶圆的支架；第一供气组件，用于向晶圆的背面提供工艺气体；阻挡盘组件，包括阻挡盘和旋转驱动件，阻挡盘可转动地设置于第一供气组件所形成的气流路径中，阻挡盘设置有阻挡区域和避让区域，阻挡区域和避让区域在围绕转动轴线的周向上排布，工艺气体可通过避让区域抵达晶圆的背面，旋转驱动件用于驱动阻挡盘绕转动轴线转动，以调节晶圆背面的沉积区域。
[0004]在可选的实施方式中，沉积室的底部设置有开口，第一供气组件的气流从开口进入沉积室，阻挡盘组件还包括传动件，传动件将旋转驱动件和阻挡盘传动连接，旋转驱动件位于沉积室外。
[0005]在可选的实施方式中，第一供气组件包括流气件，流气件设置于第一供气组件所形成的气流路径中，流气件上设置有均匀分布的通气孔，通气孔用于供工艺气体向上通过，支架上的晶圆放置位置位于流气件的上方。
[0006]在可选的实施方式中，阻挡盘设置于流气件与支架上的晶圆放置位置之间。
[0007]在可选的实施方式中，阻挡盘设置于流气件背离晶圆放置位置的一侧。
[0008]在可选的实施方式中，流气件形成匀气腔，通气孔与匀气腔连通，第一供气组件还包括通气管，通气管的第一端连接于流气件并与匀气腔连通，另一端通过沉积室的开口伸出沉积室外，通气管用于供工艺气体流通。
[0009]在可选的实施方式中，阻挡盘组件还包括升降驱动件，升降驱动件用于驱动阻挡
盘靠近或者远离晶圆。
[0010]在可选的实施方式中，还包括第二供气组件，第二供气组件用于向晶圆的正面提供保护气体。
[0011]在可选的实施方式中，阻挡盘为圆盘状，且偏心地开设有至少一个避让窗口，避让窗口形成避让区域。
[0012]第二方面，本申请提供一种晶圆应力调整方法，使用前述实施方式中任一项的气相沉积设备在晶圆的背面沉积薄膜，晶圆应力调整方法包括：控制第一供气组件向晶圆的背面输送工艺气体；根据晶圆的翘曲情况，控制旋转驱动件驱动阻挡盘转动以调节晶圆背面的沉积区域，在沉积区域形成薄膜以使晶圆趋于平整。
[0013]本申请实施例的有益效果包括，例如：本申请实施例的气相沉积设备包括沉积室、第一供气组件和阻挡盘组件。第一供气组件用于向晶圆的背面提供工艺气体，阻挡盘组件包括阻挡盘和旋转驱动件，阻挡盘可转动地设置于第一供气组件所形成的气流路径中，阻挡盘在围绕转动轴线的周向上具有阻挡区域和避让区域，工艺气体可通过避让区域抵达晶圆的背面，旋转驱动件用于驱动阻挡盘绕转动轴线转动，以调节避让区域和阻挡区域在周向上的位置，从而调节晶圆背面的沉积区域。通过旋转阻挡盘，可以使工艺气体有针对性地到达晶圆背面的特定沉积区域，沉积形成薄膜来提供反向应力，令翘曲的晶圆趋于平整；而对于不需要沉积薄膜的位置，阻挡盘的阻挡区域会对工艺气体进行阻拦，避免工艺气体在该位置形成薄膜。因此本设备能够更加灵活地对晶圆背面进行镀膜，从而调整晶圆的应力分布，使其趋于平整。
[0014]本申请实施例提供的晶圆应力调整方法使用上述的气相沉积设备来实现，能够对复杂翘曲情况的晶圆进行应力调整，使其趋于平整，有利于后续加工。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0016]图1为本申请一种实施例中气相沉积设备（放置有晶圆）的示意图；图2为本申请一种实施例中阻挡盘的示意图；图3为本申请另一种实施例中阻挡盘的示意图；图4为本申请另一种实施例中气相沉积设备的示意图。
[0017]图标：100
‑
沉积室；110
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支架；200
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第一供气组件；210
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流气件；211
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通气孔；212
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匀气腔；220
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通气管；300
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阻挡盘组件；310
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阻挡盘；311
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阻挡区域；312
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避让区域；320
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旋转驱动件；330
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传动件；400
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第二供气组件；500
‑
晶圆。
具体实施方式
[0018]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是
本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0019]因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0020]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0021]在本申请的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0022]此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0023]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的特征可以相互结合。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气相沉积设备，用于在晶圆（500）表面沉积薄膜，所述晶圆（500）具有相对的正面和背面，其特征在于，所述气相沉积设备包括：沉积室（100），所述沉积室（100）内设置有用于支撑晶圆（500）的支架（110）；第一供气组件（200），用于向晶圆（500）的背面提供工艺气体；阻挡盘组件（300），包括阻挡盘（310）和旋转驱动件（320），所述阻挡盘（310）可转动地设置于所述第一供气组件（200）所形成的气流路径中，所述阻挡盘（310）设置有阻挡区域（311）和避让区域（312），所述阻挡区域（311）和所述避让区域（312）在围绕转动轴线的周向上排布，所述工艺气体可通过所述避让区域（312）抵达晶圆（500）的背面，所述旋转驱动件（320）用于驱动所述阻挡盘（310）绕所述转动轴线转动，以调节晶圆（500）背面的沉积区域。2.根据权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，所述沉积室（100）的底部设置有开口，所述第一供气组件（200）的气流从所述开口进入所述沉积室（100），所述阻挡盘组件（300）还包括传动件（330），所述传动件（330）将所述旋转驱动件（320）和所述阻挡盘（310）传动连接，所述旋转驱动件（320）位于所述沉积室（100）外。3.根据权利要求2所述的气相沉积设备，其特征在于，所述第一供气组件（200）包括流气件（210），所述流气件（210）设置于所述第一供气组件（200）所形成的气流路径中，所述流气件（210）上设置有均匀分布的通气孔（211），所述通气孔（211）用于供所述工艺气体向上通过，所述支架（110）上的晶圆（500）放置位置位于所述流气件（210）的上方。4.根据权利要求3所述的气相沉积设备，其特征在于，所述阻挡盘（310）设置于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：周洁鹏，陈金良，宋维聪，
申请(专利权)人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：