化学气相沉积方法及设备技术

本发明专利技术提供一种化学气相沉积方法及设备，方法包括如下步骤：提供一工艺腔，其通过一真空管道连接真空泵，真空管道中设有调节工艺腔抽气流速的蝶阀；将晶圆装载进工艺腔，将工艺腔压力调节至工艺压力并进行化学气相沉积工艺，在进行化学气相沉积工艺时，真空端压力为小于工艺压力的第一真空压力；将工艺腔压力和真空端压力调节至卸载压力并卸载晶圆，卸载压力小于工艺压力和第一真空压力，通过调节蝶阀的开启角度调整工艺腔的压力变化速率，使工艺腔的压力始终大于真空端压力。本发明专利技术在工艺腔卸载晶圆时通过创造性的方式调节蝶阀的开启角度调整工艺腔的压力变化速率，使工艺腔的压力始终大于真空端压力，有助于减少颗粒污染，提高生产良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种化学气相沉积方法及设备。

技术介绍

1、在半导体工业中，薄膜沉积工艺是决定半导体器件性能和良率的重要工序。其中，亚常压化学气相沉积（sacvd）工艺是一种在低于大气压的条件下进行的化学气相沉积技术，其具有工艺精确可控、保形性好、污染少且沉积速率高的优点，且相比高密度等离子体化学气相沉积可以避免引入离子损伤，被广泛应用于半导体薄膜的沉积工艺中。

2、目前，在进行亚常压化学气相沉积工艺时，晶圆先从晶圆盒中装载入传输腔中，并进一步从传输腔传送至工艺腔，在工艺腔完成亚常压化学气相沉积工艺后，从工艺腔通过传输腔传送回晶圆盒中。上述过程都要确保在密闭的洁净环境中进行，防止因颗粒污染晶圆而导致良率损失。由于亚常压化学气相沉积的传输腔接近真空压力，而工艺腔在进行亚常压化学气相沉积工艺时压力一般维持在亚常压范围，因此在结束沉积工艺后，为了从工艺腔将晶圆传送回传输腔，需要先将工艺腔的压力调节至与传输腔相同的低压环境。

3、然而，工艺腔的低压一般是通过真空管道连接真空泵获得的，如果在抽气过程中工艺腔和真本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化学气相沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，所述工艺腔的压力达到所述卸载压力所需的时间T1和所述真空端压力达到所述卸载压力所需的时间T2满足如下关系式：

3.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，所述蝶阀的开启角度范围为0°至90°；所述工艺腔的压力维持在所述工艺压力下时，所述蝶阀的开启角度范围为5°至50°；当所述工艺腔的压力从所述工艺压力调节至所述卸载压力时，所述蝶阀的开启角度以开启速率X增加至90°。

4.根据权利要求3所述的化学气相沉积方法，其特征在于，所述开启速率X小...

【技术特征摘要】

1.一种化学气相沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，所述工艺腔的压力达到所述卸载压力所需的时间t1和所述真空端压力达到所述卸载压力所需的时间t2满足如下关系式：

3.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，所述蝶阀的开启角度范围为0°至90°；所述工艺腔的压力维持在所述工艺压力下时，所述蝶阀的开启角度范围为5°至50°；当所述工艺腔的压力从所述工艺压力调节至所述卸载压力时，所述蝶阀的开启角度以开启速率x增加至90°。

4.根据权利要求3所述的化学气相沉积方法，其特征在于，所述开启速率x小于2°/s。

5.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺包括亚常压化学气相沉积工艺。

6.根据权利要求5所述的化学气相沉积方法，其特征在于，所述工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁金辉，宋维聪，周洁鹏，
申请(专利权)人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：