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本发明提供一种化学气相沉积方法及设备,方法包括如下步骤:提供一工艺腔,其通过一真空管道连接真空泵,真空管道中设有调节工艺腔抽气流速的蝶阀;将晶圆装载进工艺腔,将工艺腔压力调节至工艺压力并进行化学气相沉积工艺,在进行化学气相沉积工艺时,真空端...该专利属于上海陛通半导体能源科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海陛通半导体能源科技股份有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种化学气相沉积方法及设备,方法包括如下步骤:提供一工艺腔,其通过一真空管道连接真空泵,真空管道中设有调节工艺腔抽气流速的蝶阀;将晶圆装载进工艺腔,将工艺腔压力调节至工艺压力并进行化学气相沉积工艺,在进行化学气相沉积工艺时,真空端...