【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学气相沉积
,尤其涉及一种化学气相沉积装置及其使用方法。
技术介绍
化学气相沉积(CVD,ChemicalVaporDeposition)是一种制备薄膜材料的气相生长方法,它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室,借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。化学气相沉积的反应机理为:将反应气体导入反应器中,在热能、电能或光能的作用下发生解离而变成活性极强的离子或离子团(plasma),所述离子或离子团通过扩散方式到达固体基板表面发生化学反应生成固态产物并沉积在基板表面。如图1所示,为现有的一种化学气相沉积装置,其包括制程腔100、设于制程腔100内且相对设置的上极板(Diffuser)200与下极板(Susceptor)300、以及设于制程腔100内且设于所述下极板300上方的玻璃基板400,其中,所述制程腔100是CVD成膜的反应场所,气体在制程腔100中电离,部分或全部发生解离而形成高能原子、正负离子、电子和气体分子的混合体,到达基板表面发生化学反应并沉积在玻璃基板400上;所述上极板200用于让反应气体能够均匀的到达玻璃基板400表面,从而提高成膜的均匀性;所述下极板300给玻璃基板400提供一个平行度很好的沉膜平台并且给玻璃基板400提供反应所需的制程温度。对于化学气相沉积来说,上极板200与下极板300之间的间距( ...
【技术保护点】
一种化学气相沉积装置,其特征在于,包括相对设置的上极板(10)与下极板(20)、设于所述下极板(20)上方的沉积基板(30)、设于所述下极板(20)下方的基座(40)、以及设于所述基座(40)下方的支撑件(50);其中,所述基座(40)包括用于支撑所述下极板(20)的第一支撑板(41)、以及固定连接于所述第一支撑板(41)中央下方的支撑块(42);所述支撑件(50)包括用于支撑所述基座(40)的第二支撑板(51)、以及固定连接于所述第二支撑板(51)中央下方的支撑柱(52);所述第二支撑板(51)与第一支撑板(41)、下极板(20)、及沉积基板(30)之间通过数个螺纹柱(60)以及分别套设于数个螺纹柱(60)上且位于所述沉积基板(30)上方的数个螺帽(70)相连接;所述数个螺纹柱(60)的底部分别与第二支撑板(51)固定连接,所述第一支撑板(41)、下极板(20)、及沉积基板(30)中分别设有数个第一、第二、第三通孔(43、23、33),所述数个螺纹柱(60)穿过所述第一支撑板(41)、下极板(20)、及沉积基板(30)中的第一、第二、第三通孔(43、23、33)并延伸出去,数个螺帽( ...
【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积装置,其特征在于,包括相对设置的上极板(10)
与下极板(20)、设于所述下极板(20)上方的沉积基板(30)、设于所述下
极板(20)下方的基座(40)、以及设于所述基座(40)下方的支撑件
(50);
其中,所述基座(40)包括用于支撑所述下极板(20)的第一支撑板
(41)、以及固定连接于所述第一支撑板(41)中央下方的支撑块(42);所述
支撑件(50)包括用于支撑所述基座(40)的第二支撑板(51)、以及固定连
接于所述第二支撑板(51)中央下方的支撑柱(52);
所述第二支撑板(51)与第一支撑板(41)、下极板(20)、及沉积基板
(30)之间通过数个螺纹柱(60)以及分别套设于数个螺纹柱(60)上且位于
所述沉积基板(30)上方的数个螺帽(70)相连接;
所述数个螺纹柱(60)的底部分别与第二支撑板(51)固定连接,所述
第一支撑板(41)、下极板(20)、及沉积基板(30)中分别设有数个第一、
第二、第三通孔(43、23、33),所述数个螺纹柱(60)穿过所述第一支撑板
(41)、下极板(20)、及沉积基板(30)中的第一、第二、第三通孔(43、
23、33)并延伸出去,数个螺帽(70)从所述沉积基板(30)的上方套设于
数个螺纹柱(60)上,并且与螺纹柱(60)之间实现螺纹连接,从而通过调
节数个螺帽(70)的高度即可实现所述下极板(20)的不同位置及不同角度
的倾斜,使得上、下极板(10、20)之间的间距可调。
2.如权利要求1所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述支撑件
(50)与基座(40)、下极板(20)、及沉积基板(30)之间通过两个螺纹柱
(60)及两个螺帽(70)相连接,且所述两个螺纹柱(60)分别位于所述下极
板(20)的左右两侧。
3.如权利要求1所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述上、下极
板(10、20)为两块上下平行的电极,其中,所述上极板(10)与射频电源
(11)相连,所述下极板(20)接地。
4.如权利要求1所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述沉积基板
(30)为玻璃基板。
5.如权利要求1所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述第一支撑
板(41)与第二支撑板(51)为圆形或三角形基板。
6.如权利要求1所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述基座
(40)通过传动装置连接到步进马达,以步进方式升降下极板(20)。
7.如权利要求1所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述化学气相
沉积装置还包括腔室本体(90),所述上极板(10)、下极板(20)、沉积基板
(30)、基座(40)均位于所述腔室本体(90)内部,所述支撑件(50)的第
二支撑板(51)位于所述腔室本体(90)内部,所述支撑件(50)的支撑柱
(52)的上部位于所述腔室本体(90)内部,下部从所述腔室本体(90)穿
出,位于所述腔室本体(90)外部;所述腔室本体(90)上设有用来向腔室
本体(90)内部通入反应气体的进气孔(91)。
8.如权利要求7所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述支撑柱
(52)外设有水平方向限位套(80),所述水平方向限位套(80)位于所述腔
室本体(90)的外部,且通过连接机构固定于墙壁上。
9.一种化学气相沉积装置的使用方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、提供一化学气相沉积装置,其包括相对设置的上极板(10)与
下极板(20)、设于所述下极板(20)上方的沉积基板(30)、设于所述下极
板(20)下方的基座(40)、以及设于所述基座(40)下方的支撑件(50);
其中,所述基座(40)包括用于支撑所述下极板(2...
【专利技术属性】
技术研发人员:许可,
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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