【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开一种用于制备低介电常数材料的等离子增强化学气相沉积装置，包括炉体、位于炉体一侧的液体源喷射机构，炉体前半段缠绕有感应线圈，此感应线圈依次连接到13.36MHz射频电源和匹配器，液体源喷射机构包括耐压不锈钢釜、第一耐压混气罐和第二耐压混气罐，第一耐压混气罐另一端与耐压不锈钢釜一端通过安装有顶针阀的管路连接，耐压不锈钢釜另一端通过安装有顶针阀、第一质量流量计的管路连接到第一喷嘴；第二耐压混气罐一端连接安装有第三进气管、第四进气管，第二耐压混气罐另一端连接到第二喷嘴。本技术结构简单、操作便捷、制造及使用费用低，实现了将不易于控制流量及速率的液态液体源转化为易于控制流量及速率的气体流，从而便捷精确调控薄膜介电常数值。【专利说明】用于制备低介电常数材料的等离子增强化学气相沉积装置
本技术涉及一种用于制备低介电常数材料的等离子增强化学气相沉积装置，属于半导体
。
技术介绍
在集成电路内部，不同的器件之间主要是靠金属导线相互连接，随着集成电路制程的不断缩小，各个互连线之间的距离和间距不算缩小，由此所产生的互联电阻(R)和电容(C)所产生的...
【技术保护点】
一种用于制备低介电常数材料的等离子增强化学气相沉积装置，其特征在于：包括两端密封安装有端盖（2）的炉体（1）、位于炉体（1）一侧的液体源喷射机构（3），所述炉体（1）前半段缠绕有感应线圈（4），此感应线圈（4）依次连接到13.36MHz射频电源（5）和匹配器（6），所述液体源喷射机构（3）包括耐压不锈钢釜（7）、第一耐压混气罐（8）和第二耐压混气罐（9），此第一耐压混气罐（8）一端连接均安装有第一质量流量计（101）的第一进气管（111）、第二进气管（112），第一耐压混气罐（8）另一端与耐压不锈钢釜（7）一端通过安装有顶针阀（12）的管路连接，耐压不锈钢釜（7）另一端通过...
【技术特征摘要】
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