ITO薄膜的沉积方法及GaN基LED芯片技术

本发明专利技术公开了一种ITO薄膜的沉积方法，采用磁控溅射工艺进行ITO薄膜的沉积，包括以下步骤：利用射频和直流共溅射在基片表面沉积ITO缓冲层；利用DC溅射在所述ITO缓冲层表面沉积ITO薄膜层。其通过射频和直流共溅射，有效降低了溅射粒子对基片表面轰击造成的损伤。此外，本发明专利技术还提供了一种GaN基LED芯片，该芯片的ITO透明电极采用本发明专利技术的ITO薄膜的沉积方法制备而成。在进行ITO透明电极的沉积时，由于采用本发明专利技术的ITO薄膜的沉积方法，有效降低了溅射粒子对GaN基片表面轰击造成的损伤，从而降低了ITO透明电极与GaN基片之间的接触电阻，进而降低了LED芯片的能耗，增加了LED芯片的光电转化效率，提高了LED芯片的寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种ITO(indium tin oxide,氧化铟锡)薄膜的沉积方法及GaN基LED芯片。
技术介绍
近年来，随着发光二极管(light emitting d1de, LED)技术的不断成熟，GaN基LED芯片被广泛应用于大功率照明、汽车仪表显示、大面积的户外显示屏、信号灯以及普通照明等不同领域。在LED芯片的制造过程中，ΙΤ0薄膜由于具有可见光透过率高、导电性好、抗磨损及耐腐蚀等优点被广泛应用于GaN基LED芯片的透明导电层。在ΙΤ0薄膜的制备方面，与传统的蒸镀工艺相比，磁控溅射技术制备的ΙΤ0薄膜不仅能够提升LED芯片的出光效率，而且能够降低生产消耗。此外，磁控溅射制备的ΙΤ0薄膜还具有更低的电阻率、更高的透过率、更高的折射率及更致密等优点。因此，一般用磁控溅射技术在外延层P-GaN表面沉积ΙΤ0透明导电层来制备LED。在传统的磁控減射ΙΤ0薄膜沉积中，一般采取直流(Direct Current, DC)減射方式。基片(如P-GaN基片)传输至磁控溅射仪的腔室后，抽真空，然后通入工艺气体，在靶材上施加DC功率启辉溅射，直接沉积Ι本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ITO薄膜的沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：S100，利用射频和直流共溅射在基片表面沉积ITO缓冲层；S200，利用直流溅射在所述ITO缓冲层表面沉积ITO薄膜层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：耿波，王厚工，赵梦欣，文莉辉，夏威，陈鹏，刘建生，丁培军，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11