一种双电缸垂直升降的开腔结构制造技术

本发明专利技术涉及一种应用于半导体薄膜沉积设备的双电缸垂直升降的开腔结构。双电缸倒置安装，同步控制，两侧提供举升力开启腔体上盖板。属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。包括：上盖板，设置在腔体上，用于开启与开闭；两个电机，分别固定安装在两个电缸主体上，与电缸主体一起倒置设置在上盖板的上方，通过电缸主体与上盖板固定；电缸推杆，穿过上盖板与电机的输出轴连接，其端部固定安装在腔体上。本发明专利技术通过双电缸倒置式安装，两侧提供举升力，避免单边受力造成上盖板扭曲变形。电缸推杆安装在腔体上，电缸主体安装在上盖板上，运动过程中，杠杆伸出，使电缸主体与上盖板一起运动。倒置式安装方式，节省设备下方所需空间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种应用于半导体薄膜沉积设备的双电缸垂直升降的开腔结构。双电缸倒置安装，同步控制，两侧提供举升力开启腔体上盖板。属于半导体薄膜沉积应用及制造

技术介绍
半导体薄膜沉积设备在调试或生产时需要进行零部件的拆装及维护，因此设备的腔盖需要能够实现开启及关闭以便进行开腔操作。在不存在自动传片的小型实验设备中，往往需要通过开、关腔盖来进行取、送晶圆的操作。因为腔体的盖板并不是独立存在的，其上往往安装了其他附属的功能部件或管路等，仅凭手动实现开关腔的操作可能会造成人体的疲劳、损伤，这样的设计是不完善的，而且也比较容易出现安全事故，伤及人员或设备。现有的设备往往是翻转式盖板操作，有使用气弹簧增力或是使用其他电动或气动结构进行开关腔动作，以便减少对人体的伤害及提高效率。但对于一些半导体薄膜沉积设备在进行沉积反应时，为节约宝贵的特气资源及加快反应时间、提高设备效率，往往对腔内体积有较严格的控制要求。所以半导体薄膜沉积设备的腔内结构往往设计的非常紧凑。腔内没有空间可以容纳翻转式开腔结构。针对上述现象的存在所以有些设备会选择垂直式的开腔方式，这样可以避免翻转动作造成的设备损伤或碰撞本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双电缸垂直升降的开腔结构，其特征在于，包括：上盖板，设置在腔体上，用于开启与开闭；两个电机，分别固定安装在两个电缸主体上，与电缸主体一起倒置设置在上盖板的上方，通过电缸主体与上盖板固定；电缸推杆，穿过上盖板与电机的输出轴连接，其端部固定安装在腔体上。

【技术特征摘要】
1.一种双电缸垂直升降的开腔结构，其特征在于，包括：上盖板，设置在腔体上，用于开启与开闭；两个电机，分别固定安装在两个电缸主体上，与电缸主体一起倒置设置在上盖板的上方，通过电缸主体与上盖板固定；电缸推杆，穿过上盖板与电机的输出轴连接，其端部固定安装在腔体上。2.按照权利要求1所述的双电缸垂...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈英男，姜崴，郑旭东，关帅，李景舒，霍阳阳，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21