【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种应用于半导体薄膜沉积设备的开腔结构辅助装置,适用于倒置式推举电缸的开腔方式,通过增加一定的空行程提高腔盖关闭时触发信号的稳定性。属于半导体薄膜沉积应用及制造
技术介绍
半导体薄膜沉积设备在进行沉积反应时,需要在真空条件下进行,这就要求腔体在设备启动时完全密闭。腔体若不能完全闭合,有可能造成腔体内不能达到工艺压力要求,或者工艺气体泄漏产生危险后果。垂直升降开腔方式可能因为限位开关灵敏度等原因产生上盖板与腔室不能完全闭合,或闭合后限位开关不能完全触发等问题。综上所述,对于现有的倒置式推举电缸开腔方式可能存在的腔体闭合不严而产生的风险,需要合理的结构确保腔体可以完全闭合,同时触发限位开关提供准确的信号反馈。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种倒置式推举电缸装置,主要解决现有的开腔方式可能因为限位开关灵敏度等原因产生上盖板与腔室不能完全闭合,或闭合后限位开关不能完全触发等问题。增加空行程结构,使上盖板闭合后,电缸依然能向上运动一定行程,从而触发限位开关。本专利技术是这样实现的,一种倒置式推举电缸装置,包括电缸安装在电缸杆上,电 ...
【技术保护点】
一种倒置式推举电缸装置,其特征在于,包括电缸安装在电缸杆上,电缸杆为中空结构,内设有推杆,推杆为可伸缩结构;电缸杆固定在所安装的沉积设备的上盖板上;推杆穿过上盖板,在推杆的端部安装限位压块,与安装在腔体上的限位开关相配合在限位开关与上盖板所安装的沉积设备的腔体底面之间限定一定的空行程。
【技术特征摘要】
1.一种倒置式推举电缸装置,其特征在于,包括电缸安装在电缸杆上,电缸杆为中空结构,内设有推杆,推杆为可伸缩结构;电缸杆固定在所安装的沉积设备的上盖板上;推杆穿过上盖板,在推杆的端部安装限位压块,与安装在腔体上的限位开关相配合在限位开关与上盖板所安装的沉积设备的腔体底面之间限定一定的空行程。2.按照权利要求1所述的倒置式推举电缸装置,其特征在于,电缸杆为固定长度。3.按照权利要求1所述的倒置式推举电...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈英男,梁立元,姜崴,郑旭东,关帅,李景舒,霍阳阳,
申请(专利权)人:沈阳拓荆科技有限公司,
类型:发明
国别省市:辽宁;21
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