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本发明涉及一种倒置式推举电缸装置，应用于半导体薄膜沉积设备的开腔结构辅助装置，通过增加一定的空行程提高腔盖关闭时触发信号的稳定性。属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。包括电缸安装在电缸杆上，电缸杆为中空结构，内设有推杆；电缸杆固定在上盖板...
该专利属于沈阳拓荆科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳拓荆科技有限公司授权不得商用。

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