一种改善连续沉积多片不清洗薄膜均匀性趋势的方法技术

一种改善连续沉积多片不清洗薄膜均匀性趋势的方法，主要解决使用等离子体化学气相沉积设备连续沉积多片后清洗腔体，薄膜均匀性不稳定，且均匀性会变差的问题。该方法采用等离子体化学气相沉积双腔设备连续沉积氧化硅薄膜多片后进行清洗腔体，通过改变每一对通气时间来解决薄膜均匀性不稳定的方法。实现步骤：1、通氧气及氦气；2、向腔体通入已加热汽化的TEOS气体；3、控制电极板间距离；4、沉积完成后，传出反应腔；5、连续沉积多对后，对反应腔进行一次清洗。本发明专利技术所采用的是在沉积薄膜前，改善通气时间，来消除使用等离子体增强化学气相连续沉积多片氧化硅薄膜后清洗，薄膜均匀性仍保持稳定的方法。使用此方法可以提高设备产能，减少成本，可在半导体领域广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种连续沉积多片氧化硅薄膜不清洗的制备方法，确切地说是一种使用等离子体化学气相沉积设备沉积多片氧化硅薄膜不清洗,而且能保证每片之间膜的性能均能保持一致的方法，属于半导体薄膜制造及应用

技术介绍
随着真空镀膜技术的发展与广泛应用，在集成电路中对薄膜的均匀性的要求越来越高，大多数实际应用薄膜的均匀性都是有特定需求的，除少数特殊场合外，一般都要求薄膜厚度尽可能的均匀一致，薄膜均匀性的优劣直接影响到各个光学器件的稳定性及可靠性。研究膜厚均匀性对生产型企业来说具有重要的实用价值。等离子体增强化学气相沉积是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种制备技术。在沉积薄膜的情况下，采用多片沉积后的清洗方式，可以有效地提高产能。但传统的多片不清洗，薄膜均匀性容易发生变化，存在问题。
技术实现思路
本专利技术以解决上述问题为目的，主要解决使用等离子体化学气相沉积设备连续沉积多片后清洗腔体，薄膜均匀性不稳定，且均匀性会变差的问题。为实现上述目的，本专利技术提供了一种氧化硅薄膜的制备方法，该方法采用等离子体化学气相沉积双腔设备连续沉积氧化硅薄膜多片后进行清洗腔体，通过改变每一对通气时间来解决薄膜均匀性不稳定的方法。本专利技术是通过下述具体步骤实现的：1)将一对基片分别传入双腔设备的真空反应腔。2)开始通氧气及氦气，达到设定压力后维持一段时间，对基片进行预热。3)向腔体通入已加热汽化的TEOS(正硅酸乙酯)气体。4)控制电极板间距离，开启射频电源，达到设定射频功率后，在电极间产生等离子体开始在基片表面沉积氧化硅薄膜。5)沉积完成后，传出反应腔。6)连续沉积多对后，对反应腔进行一次清洗。进一步地，所述改善连续沉积多片不清洗薄膜均匀性趋势的方法，其特征在于：通氧气及氦气的时间为5s-90s。进一步地，所述改善连续沉积多片不清洗薄膜均匀性趋势的方法，其特征在于：氧气流量为1000sccm-8000sccm，氦气流量为1000sccm-8000sccm，TEOS流量为：1g/min-10g/min进一步地，所述改善连续沉积多片不清洗薄膜均匀性趋势的方法，其特征在于：电极板间距离为7mm-28mm进一步地，所述改善连续沉积多片不清洗薄膜均匀性趋势的方法，其特征在于：射频功率为700W-1900W本专利技术的有益效果及特点在于：本专利技术所采用的是在沉积薄膜前，改善通气时间，来消除使用等离子体增强化学气相连续沉积多片氧化硅薄膜后清洗，薄膜均匀性仍保持稳定的方法。使用此方法可以提高设备产能，减少成本，可在半导体领域广泛应用。附图说明图1是不同通气时间时，连续三对薄膜均匀性的变化趋势图。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术做进一步详细说明。根据下面说明，本专利技术的优点和特征将更清楚。本专利技术使用沈阳拓荆科技公司生产的等离子体增强化学气相沉积设备。实施例1：采用沈阳拓荆科技有限公司PECVD设备来制备氧化硅薄膜，将基片传入真空反应腔，腔体在真空状态时开始通氧气，流量为3000-7000sccm，及氦气流量为1000sccm-4000sccm，控压至3torr-5torr，通气时间分别采用5s及15s，之后向腔体通入已加热汽化的TEOS气体，流量为2g/min-5g/min，电极板间距离为9-13mm，开启射频电源，射频功率设定为1700W-1900W，在电极间产生等离子体开始在裸硅片表面沉积氧化硅薄膜。沉积3对后，对腔体进行清洗一次。通过改变了通氧气及氦气的时间，解决了连续多对沉积薄膜后才进行清洗薄膜均匀性不稳定的方法。如图1所示，当通气时间为5s时，三对的均匀性不稳定，且有变差的趋势。当将通气时间延长至15s时，三对的均匀性是稳定的。本专利技术构思科学，可有效地实现薄膜的均匀性及提高产能。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善连续沉积多片不清洗薄膜均匀性趋势的方法，其特征在于：该方法是通过下述具体步骤实现的：1)将一对基片分别传入双腔设备的真空反应腔；2)开始通氧气及氦气，达到设定压力后维持一段时间，对基片进行预热；3)向腔体通入已加热汽化的TEOS气体；4)控制电极板间距离，开启射频电源，达到设定射频功率后，在电极间产生等离子体开始在基片表面沉积氧化硅薄膜；5)沉积完成后，传出反应腔；6)连续沉积多对后，对反应腔进行一次清洗。

【技术特征摘要】
1.一种改善连续沉积多片不清洗薄膜均匀性趋势的方法，其特征在于：该方法是通过下述具体步骤实现的：1)将一对基片分别传入双腔设备的真空反应腔；2)开始通氧气及氦气，达到设定压力后维持一段时间，对基片进行预热；3)向腔体通入已加热汽化的TEOS气体；4)控制电极板间距离，开启射频电源，达到设定射频功率后，在电极间产生等离子体开始在基片表面沉积氧化硅薄膜；5)沉积完成后，传出反应腔；6)连续沉积多对后，对反应腔进行一次清洗。2.如权利要求1所述的一种改善连续沉积多片不清洗薄膜均匀性趋势的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：于棚，刘婧婧，商庆燕，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21