【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体处理领域，具体涉及用于提高膜均匀性的装置和方法。
技术介绍
当前沉积工艺使载气和前体流经喷头或其它工艺气体输送装置以将前体输送到衬底上。衬底可以容纳在衬底处理室中。衬底处理室中的工艺气体的流以及其他因素可能会导致衬底的不均匀的投配。不均匀投配的衬底可能会影响处理的衬底的质量。
技术实现思路
在附图和以下说明中阐述了在本说明书中描述的主题的一个或多个实现方案的细节。根据本说明书、附图和权利要求，其它特征、方面和优点将变得显而易见。需要注意的是，以下附图的相对尺寸可能没有按比例绘制，除非特别指明附图是按比例绘制的。在某些实施方式中，可以提供一种在沉积工艺期间控制对衬底的前体投配的方法。该方法可以包括：(a)使第一工艺气体流动至所述衬底持续ALD沉积循环的投配阶段的第一时间段，使得所述第一工艺气体包括第一载气和所述前体；(b)使第二工艺气体流动至所述衬底持续所述ALD沉积循环的所述投配阶段的第二时间段，使得所述第二时间段在所述第一时间段开始之后开始，所述第一和第二时间段至少部分地重叠，所述第二工艺气体包括第二载气，并且在输送到所述衬底之前，所述第二工艺气体与所述第一工艺气体混合持续其中所述第二时间段与所述第一时间段重叠的至少一部分时间段，并且从(a)至(b)总工艺气体的体积流率增加；(c)停止(a)和(b)中的所述流动；以及(d)在(c)之后，在与(a)和(b)中的所述<...
【技术保护点】
一种在沉积工艺期间控制对衬底的前体投配的方法，该方法包括：(a)使第一工艺气体流动至所述衬底持续ALD沉积循环的投配阶段的第一时间段，其中，所述第一工艺气体包括第一载气和所述前体；(b)使第二工艺气体流动至所述衬底持续所述ALD沉积循环的所述投配阶段的第二时间段，其中，所述第二时间段在所述第一时间段开始之后开始，所述第一和第二时间段至少部分地重叠，所述第二工艺气体包括第二载气，并且在输送到所述衬底之前，所述第二工艺气体与所述第一工艺气体混合持续其中所述第二时间段与所述第一时间段重叠的至少一部分时间段，并且从(a)至(b)总工艺气体的体积流率增加；(c)停止(a)和(b)中的所述流动；以及(d)在(c)之后，在与(a)和(b)中的所述ALD沉积循环不同的ALD沉积循环期间针对所述衬底重复(a)和(b)。
【技术特征摘要】
2014.12.19 US 14/578,1661.一种在沉积工艺期间控制对衬底的前体投配的方法，该方法包括：
(a)使第一工艺气体流动至所述衬底持续ALD沉积循环的投配阶段的
第一时间段，其中，所述第一工艺气体包括第一载气和所述前体；
(b)使第二工艺气体流动至所述衬底持续所述ALD沉积循环的所述投
配阶段的第二时间段，其中，所述第二时间段在所述第一时间段开始之后开
始，所述第一和第二时间段至少部分地重叠，所述第二工艺气体包括第二载
气，并且在输送到所述衬底之前，所述第二工艺气体与所述第一工艺气体混
合持续其中所述第二时间段与所述第一时间段重叠的至少一部分时间段，并
且从(a)至(b)总工艺气体的体积流率增加；
(c)停止(a)和(b)中的所述流动；以及
(d)在(c)之后，在与(a)和(b)中的所述ALD沉积循环不同的
ALD沉积循环期间针对所述衬底重复(a)和(b)。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一工艺气体的至少一部
分被吸附在所述衬底上，并且所述方法还包括：在(c)之后并在(d)之
前，使被吸附的前体反应，以在所述衬底上形成膜层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，当所述衬底不完全布满吸附的
前体时进行使所述吸附的前体反应。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述第二工艺气体
不包含所述前体。
5.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述第一时间段在
所述第二时间段结束之后结束。
6.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述第二时间段在
所述第一时间段结束之后结束。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述第二时间段在所述第一
时间段已经结束之后继续的所述一部分期间输送的所述工艺气体从围绕所述
衬底的体积去除至少一些未吸附的前体。
8.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述第一工艺气
体经由第一流动通路输送，所述第二工艺气体经由第二流动通路输送，所述
\t第二流动通路流体连接到所述第一流动通路，并且所述第二工艺气体与在所
述第一流动通路的至少一部分中的所述第一工艺气体混合。
9.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，(a)至(c)是
在约5秒或少于5秒的时间段中进行。
10.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述衬底的直径
是约450毫米或少于450毫米。
11.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其进一步包括：
(e)在(a)之后，使第三工艺气体流动至所述衬底持续所述ALD沉积
的所述投配阶段的第三时间段，其中所述第三时间段在所述第一时间段开始
之后开始，所述第一和第三时间段至少部分地重叠，所述第三工艺气体包括
第三载气，在输送到所述衬底之前所述第三工艺气体与至少所述第一工艺气
体混合持续其中所述第三时间段与所述第一时间段重叠的至少一部分时间
段，并且从(a)至(e)总工艺气体的体积流率增加。
12.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述第二载气选
自由下列项组成的组：所述第一载气和与所述第一载气不同的载气。
13.一种装置，其包括：
衬底支架，其构造成接收衬底；
具有喷头入口的喷头，其配置成输送工艺气体至由所述衬底支架接收的
所述衬底；
具有一个或多个第一阀的第一流动通路，其流体连接到所述喷头入口；
具有一个或多个第二阀的第二流动通路，其流体连接到所述第一流动通
路；和
一个或多个控制器，其配置成：
(a)将所述一个或多个第一阀切换成流接通状态以使第一工艺气体流
动至所述衬底持续ALD沉积循环的投配阶段的第一时间段，其中所述第一工
艺气体包括第一载气和前体，
(b)将所述一个或多个第二阀切换成流接通状态以使第二工艺气体流
动至所述衬底持续所述ALD沉积循环的所述投配阶段的第二时间段，其中所
述第二时间段在所述第一时间段开始之后开始，所述第一和第二时间段至少
\t部分地重叠，所述第二工艺气体包括所述载气，所述第二工艺气体与所述第
一工艺气体混合持续其中所述第二时间段与所述第一时间段重叠的至少一部
分时间段，并...
【专利技术属性】
技术研发人员：普鲁沙塔姆·库马尔，康胡，阿德里安·拉瓦伊，赵伊春，弗兰克·L·帕斯夸里，钱俊，克洛伊·巴尔达赛罗尼，尚卡·斯瓦米纳森，卡尔·F·李瑟，大卫·查尔斯·史密斯，威吉·赖，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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