【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种连续沉积多片氮氧硅薄膜不清洗的制备方法，确切地说是一种使用等离子体化学气相沉积设备沉积多片氮氧硅薄膜不清洗,而且能保证每片之间膜的性能均能保持一致的方法，属于半导体薄膜制造及应用
技术介绍
在半导体集成电路中，绝缘介质薄膜被用于金属层间介质层、钝化层或减反射层，在半导体制备工艺中起着十分重要的作用。氮氧硅薄膜是一种新型的薄膜材料,具有很好的光学性能,多应用于半导体集成电路中的减反射层。目前，随着半导体技术的不断发展，在集成电路中对薄膜的性能要求越来越高，等离子体化学气相沉积设备是一种沉积绝缘材料的一种新技术，使用该技术沉积氮氧硅薄膜温度较低，制备方法相对比较简单，在沉积薄膜的情况下，采用多片沉积后的清洗方式，可以有效地提供产能。但传统的多对不清洗，薄膜性能容易发生变化，存在问题。
技术实现思路
本专利技术以解决上述问题为目的，主要解决使用等离子体化学气相沉积设备连续沉积多片后清洗腔体，薄膜性能不稳定，容易发生变化的方法。为实现上述目的，本专利技术提供了一种氮氧硅薄膜的制备方法，该方法采用等离子体化学气相沉积设备连续沉积氮氧硅薄膜多片后进行清洗腔体，通过改变清洗后的预敷层的厚度来解决薄膜性能不稳定的方法。本专利技术是通过下述具体步骤实现的：1)基片沉积完成后传出反应腔；2)对反应腔进行清洗；3)清洗完成后，对反应腔进行预敷层沉积；进一步地，所述预敷层沉积制备方法，其特征在于：该氮氧硅薄膜的预敷层沉积温度与基片沉积温度保持一致，可由350℃-450℃。进一步地，所述氮氧硅薄膜预敷层制备方法，其特征在于：反应气体为硅烷、笑气、氦气和氮气...
【技术保护点】
一种改善连续沉积多片氮氧硅薄膜不清洗膜性能的方法，其特征在于：该方法是通过改变预敷层沉积厚度和方式来改变连续多对沉积氮氧硅薄膜后才进行清洗，薄膜性能能达到稳定的方法，该方法是通过下述具体步骤实现的：1)基片沉积完成后传出反应腔；2)对反应腔进行清洗；3)清洗完成后，对反应腔进行预敷层沉积；4)预敷层沉积厚度为100nm‑200nm；5)预敷层沉积中增加笑气等离子体进行预处理。
【技术特征摘要】
1.一种改善连续沉积多片氮氧硅薄膜不清洗膜性能的方法，其特征在于：该方法是通过改变预敷层沉积厚度和方式来改变连续多对沉积氮氧硅薄膜后才进行清洗，薄膜性能能达到稳定的方法，该方法是通过下述具体步骤实现的：1)基片沉积完成后传出反应腔；2)对反应腔进行清洗；3)清洗完成后，对反应腔进行预敷层沉积；4)预敷层沉积厚度为100nm-200nm；5)预敷层沉积中增加笑气等离子体进行预处理。2.如权利要求1所述的一种改善连续沉积多片氮氧硅薄膜不清洗膜性能的方法，其特征在于：...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹晓杰，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21
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