样品支持器制造技术

本发明专利技术是有关于一种样品支持器，可改善在利用等离子化学气相沉积法的成膜处理步骤中，形成在基板上的薄膜的膜厚分布。本发明专利技术的样品支持器被储存在等离子处理装置中，且样品支持器被安装在与呈梳齿状配置的电极对向的位置；且样品支持器具有搭载面，该搭载面沿着定义搭载处理对象的基板的搭载区域的垂直方向延伸，且搭载面的外缘的角部被进行C修角或R修角。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术是有关于一种样品支持器，可改善在利用等离子化学气相沉积法的成膜处理步骤中，形成在基板上的薄膜的膜厚分布。本专利技术的样品支持器被储存在等离子处理装置中，且样品支持器被安装在与呈梳齿状配置的电极对向的位置；且样品支持器具有搭载面，该搭载面沿着定义搭载处理对象的基板的搭载区域的垂直方向延伸，且搭载面的外缘的角部被进行C修角或R修角。【专利说明】样品支持器
本专利技术涉及一种样品支持器(sample holder),搭载处理对象的基板且储存在等离子处理装置中。
技术介绍
在利用等离子化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)法的成膜处理步骤中，搭载着成膜处理对象的基板的样品支持器储存在等离子CVD成膜装置中。而且，通过借助放电使原料气体等离子化，而将所需的薄膜形成在基板表面。此时，担心因搭载基板的样品支持器的角(corner)部的放电集中而产生异常放电。为防止因该异常放电而损伤等离子CVD成膜装置的电极等以致处理停止，而提出了防止在样品支持器的角部的异常放电的方法(例如，参照专利文献I)。 日本专利特开2002-373888号公报因样品支持器的角部的放电集中，而产生如下问题:形成在基板的靠近样品支持器的角部的区域的薄膜的膜厚变厚，基板上的膜厚分布的宽度变大。其结果是，产品的特性劣化，制造良率降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种样品支持器，可改善在利用等离子CVD法的成膜处理步骤中，形成在基板上的薄膜的膜厚分布。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本专利技术提供一种样品支持器:所述样品支持器被储存在等离子处理装置中，且所述样品支持器被安装在与呈梳齿状配置的电极对向的位置；所述样品支持器具有搭载面，所述搭载面沿着定义搭载处理对象的基板的搭载区域的垂直方向延伸，且搭载面的外缘的角部被进行C倒角或R倒角。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。较佳的，前述的样品支持器，其中所述角部是:在从构成所述角部且邻接的两边的延长线的交点算起Irnm-3mm的长度被进行C倒角。较佳的，前述的样品支持器，其中所述角部是:以描绘半径为Imm-5mm的圆弧的方式被进行R倒角。较佳的，前述的样品支持器，其中在所述搭载面定义着多个所述搭载区域。较佳的，前述的样品支持器，其中所述样品支持器包含碳。借由上述技术方案，本专利技术样品支持器至少具有下列优点及有益效果:根据本专利技术，可提供一种样品支持器，可改善在利用等离子CVD法的成膜处理步骤中，形成在基板上的薄膜的膜厚分布。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。【专利附图】【附图说明】图1表示本专利技术实施例的样品支持器的构成的立体示意图。图2表示本专利技术实施例的样品支持器的其他构成的立体示意图。图3是图1所示的样品支持器的侧视图。图4是图2所示的样品支持器的侧视图。图5表示本专利技术实施例的样品支持器具有多个搭载面的示意图。图6用以说明利用了图5所示的样品支持器的等离子CVD成膜装置的成膜处理的示意图。图7表示比较例的样品支持器的构成的示意图。图8表示图7所示的样品支持器的成膜处理步骤后的状态的照片。图9表示本专利技术实施例的样品支持器的成膜处理步骤后的状态的照片。1:基板10:成膜装置IUllA:样品支持器12:阴极电极13:气体供给装置14:交流电源15:排气装置20:腔室100:原料气体101:固定板110:搭载面111:搭载区域A:角部t:长度r:半径【具体实施方式】为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的一种样品支持器的【具体实施方式】、结构、特征及其功效，详细说明如后。参照附图，对本专利技术的实施方式进行说明。在以下附图的记载中，对于相同或类似的部分，附注相同或类似的符号。然而，应注意附图是示意性的。另外，以下所示的实施例用以将本专利技术的技术思想具体化的装置或方法，本专利技术的实施例`并非将构成零件的构造、配置等特定于下述。本专利技术的实施方式可在权利要求的范围内加以各种变更。本专利技术实施例的样品支持器11是搭载处理对象的基板且储存在等离子处理装置中的样品支持器，如图1及图2所示，样品支持器11具有:搭载面110，该搭载面110沿着定义搭载基板的搭载区域111的垂直方向延伸，并且，以圆圈包围来表示的搭载面110的外缘的角部(以下，称为「角部A」)是被倒角。图1是搭载面110的角部A被进行C倒角的例子。另一方面，图2是搭载面110的角部A被进行R倒角的例子。此外，图1及图2是表示在I个搭载面110上定义了 3个搭载区域111的例子，但在I个搭载面110上所定义的搭载区域111的个数并不限于3个，例如也可在I个搭载面110上定义I个搭载区域111。图3中表示:搭载着基板I的搭载面110的上部端面的两侧的角部A被进行C倒角的具体例。图3所示的角部A是:在从构成角部A且邻接的两边的延长线的交点算起长度t而被进行C倒角。图4中表示:搭载着基板I的搭载面110的上部端面的两侧的角部A被进行R倒角的具体例。图4所示的角部A是:以描绘半径r的圆弧的方式而被进行R倒角。此外，也可排列多个搭载基板I的样品支持器11而构成I个样品支持器。例如，也可采用如图5所示，沿着搭载面110的面法线方向并列地排列多个样品支持器11而成的船型(boat type)的样品支持器。样品支持器11各自的底部是由固定板101固定。通过船型的样品支持器，可增加在I次成膜处理步骤中处理的基板I的片数，从而可缩短整体的处理时间。例如，如图6所示，样品支持器11是在搭载着成膜处理对象的基板I的状态下，被储存在等离子CVD成膜装置10中。在图6所示的例子中，样品支持器11被用作阳极(anode)电极。等离子CVD成膜装置10包括:腔室20 ;阴极电极12，具有在腔室20内以分别与搭载面110对向的方式而配置的多个阴极面；及交流电源14，对样品支持器11与阴极电极12间供给交流电力，从而使原料气体100在样品支持器11与阴极电极12间为等离子状态。也就是说，样品支持器11储存在等离子处理装置中，且安装在与呈梳齿状配置的电极对向的位置。在等离子CVD成膜装置10中，将成膜用原料气体100从气体供给装置13导入至腔室20内。导入原料气体100后，通过排气装置15调整腔室20内的压力。在将腔室20内的原料气体100的压力调整为规定的气压后，通过交流电源14将规定的交流电力供给至阴极电极12与样品支持器11之间。由此，腔室20内的原料气体100被等离子化。通过将基板I暴露在所形成的等离子中，原料气体100中所含原料为主要成分的所希望的薄膜被形成在基板I的露出表面。在等离子CVD成膜装置10中，通过适当选择原料气体，可将硅半导体薄膜、氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、碳薄膜等所希望的薄膜形成在基板I上。例如，在基板I是太阳电池的情况下，可使用氨(NH3)气体与硅烷(SiH4)气体的混合气体，在基板I上形成氮化硅(SiN)膜来作为抗反射膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种样品支持器，所述样品支持器被储存在等离子处理装置中，且所述样品支持器被安装在与呈梳齿状配置的电极对向的位置，所述样品支持器的特征在于：所述样品支持器具有搭载面，所述搭载面定义搭载处理对象的基板的搭载区域，且所述搭载面的外缘的角部被进行C倒角或R倒角。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：今井大辅，猿渡哲也，三科健，
申请(专利权)人：株式会社岛津制作所，
类型：发明
国别省市：