【技术实现步骤摘要】
本专利技术概括来说涉及一种，更具体的，涉及一种用于半导体器件的等离子聚合薄膜及制造该薄膜的方法，该薄膜具有低的介电常数，并显示出改良的绝缘性能，在包括硬 度和弹性模量的机械性能方面也有改善。
技术介绍
目前，半导体装置制造中的主要步骤之一是通过气体的化学反应在衬底上形成金属和电介质薄膜。该沉积过程称为化学气相沉积(CVD)。具 有代表性地，在热化学气相沉积过程中，反应气体被供给到到衬底的表面 上，以便在衬底上发生热致化学反应，从而形成预定厚度的薄膜。这种热 化学气相沉积(CVD)过程在高温下进行，高温肯能会损坏在衬底上形成 层的器件的几何形状。在较低温度下沉积金属和电介质薄膜的方法的优选 实施例包括公开在美国专利号5,362,526中，题目为使用TEOS沉积氧化 硅的等离子增强CVD工序的等离子增强化学气相沉积法(PECVD)，其 在此以引证的方式结合到本申请中。根据PECVD，射频(RF)能量施加到反应区中，从而促使反应气体激 发和/或分解，因而产生高活性种的等离子体。释放种的高活性降低了发生 化学反应所需要的能量，因而降低了这种PECVD所需要的温度。因此，...
【技术保护点】
一种低介电常数等离子聚合薄膜，其由以下的式１和式２代表的前驱体进行制造： 式１ ＊＊＊ 其中Ｒ↑［１］－Ｒ↑［６］都各独立地选自由氢原子和取代或未取代的Ｃ↓［１～５］烷基基团组成的组中，且Ｘ是氧原子或Ｃ↓［１～５］亚烷基基 团；和 式２ ＊＊＊ 其中，Ｒ↑［１］－Ｒ↑［５］都各独立地选自由氢原子和取代或未取代的Ｃ↓［１～５］烷基基团组成的组中，且Ｒ↑［６］选自由氢原子和取代或未取代的Ｃ↓［１～５］烷基基团以及烷氧硅烷基团组成的组中。
【技术特征摘要】
KR 2007-12-6 10-2007-01263311、一种低介电常数等离子聚合薄膜，其由以下的式1和式2代表的前驱体进行制造式1其中R1-R6都各独立地选自由氢原子和取代或未取代的C1～5烷基基团组成的组中，且X是氧原子或C1～5亚烷基基团；和式2其中，R1-R5都各独立地选自由氢原子和取代或未取代的C1～5烷基基团组成的组中，且R6选自由氢原子和取代或未取代的C1～5烷基基团以及烷氧硅烷基团组成的组中。2、 如权利要求l所述的低介电常数等离子聚合薄膜，其特征在于，式2的RS代表-0-Si(R^;且其中W选自由C^烷基基团和苯基基团组成的组中。3、 如权利要求1所述的低介电常数等离子聚合薄膜，其特征在于，所述薄膜使用等离子增强化学气相沉积法制成。4、 如权利要求l所述的低介电常数等离子聚合薄膜，其特征在于，由式1代表的前驱体是六甲基二硅氧垸。5、 如权利要求1所述的低介电常数等离子聚合薄膜，其特征在于， 由式2代表的前驱体是3,3-二甲基-1-丁烯或烯丙氧基三甲硅烷。6、 一种制造低介电常数等离子聚合薄膜的方法，其特征在于，包括由以下的式1和式2代表的前驱体通过等离子增强化学气相沉积法 在衬底上沉积等离子聚合薄膜；并使用RTA装置退火沉积的薄膜式1R2 R4 R1 - Si - X - Si - R6 R3 Pi5其中R^W都各独立地选自由氢原子和取代或未取代的d」烷基基团组成的组中，且X是氧原子或Cw亚垸基基团；和 式2<formula>formula see original document page 3</formula>其中RLRS都各独立地选自由氢原子和取代或未取代的d一烷基基 团组成的组中，且116选自由氢原子和取代或未取代的CM烷基基团以 及垸氧硅烷基团组成的组中。7、 如权利要求6所述的方法，其特征在于，式2的RS代表-0-Si(R7)3， 且其中W选自由C^6烷基基团和苯基基团组成的组中。8、 如权利要求6所述的方法，其特征在于，由式l代表的前驱体是六甲基二硅氧垸。9、 如权利要求6所述的方法，其特征在于，由式2代表的前驱体 是3,3-二甲基-1-...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑东根，李晟宇，禹知亨，
申请(专利权)人：成均馆大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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