本发明专利技术涉及聚酰亚胺材料技术领域，尤其是一种低介电常数聚酰亚胺及其制备方法。所述低介电常数聚酰亚胺薄膜，包括下列质量百分比的组分：70~95%的聚酰亚胺，4~20%的聚四氟乙烯，1~20%的增强填料，上述组分的百分比之和为100%。本发明专利技术所述聚酰亚胺薄膜介电常数可至0.28~0.30之间，而且制备工艺简单、原料成本低廉。另外，本发明专利技术所述聚酰亚胺薄膜在降低材料介电常数的同时还能保留、甚至提高材料的强度、模量和尺寸稳定性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及聚酰亚胺材料
，尤其是一种低介电常数聚酰亚胺及其制备方 法。
技术介绍
随着电子信息技术的飞速发展，超大规模集成电路器件的集成度越来越高，其特 征尺寸不断缩小，这会引起电阻一电容延迟上升，出现信号传输延时、干扰增强、功率损耗 增大等问题，这将限制器件的高速性能。而缓解此问题的重要途径之一是降低介质材料的 介电常数一一即降低材料的寄生电容。聚酰亚胺因其突出的耐高低温性能和介电性能而被 大量应用于微电子工业，如芯片封装材料、屏蔽材料、柔性印制线路板的基体材料等。因此 开发低介电常数聚酰亚胺材料对提高集成电路的集成度、器件运行速度和稳定性具有重要 意义。中国科学院杨士勇等人在传统的聚酰亚胺结构中引入含氟基团，同时在聚酰亚胺中 引入孔空有可效降低聚酰亚胺的介电常数，所制得的聚酰亚胺介电常数为2. 86?2. 91。但 由于含氟单体制备工艺复杂，成本高，所制备聚酰亚胺价格昂贵；而且多孔聚酰亚胺结构强 度下降、有效体积大，均不利于聚酰亚胺在大规模集成电路器件中的应用。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种低介电常数聚酰亚胺，具有介电常数低，工 艺简单，成本较低，强度高的特点。 为了解决上述技术问题，本专利技术所述低介电常数聚酰亚胺薄膜，包括下列质量百 分比的组分：70?95%的聚酰亚胺，4?20%的聚四氟乙烯，1?20%的增强填料，上述组 分的百分比之和为100%。 优选地，所述增强填料为二氧化硅、三氧化二铝、云母粉、高岭土、蒙脱土、滑石粉、 中的一种或几种的混合物； 本专利技术还提供一种低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括以下步骤： 步骤一，按质量百分比称取一定量的聚四氟乙烯和增强填料加入非质子性溶剂中，在 高速搅拌的同时进行超声波分散，制成均匀稳定的悬浮液； 步骤二，在所得的悬浮液中加入芳香簇二胺，控制温度10?40°c，进行机械搅拌，待其 完全溶解后分批次加入与芳香簇二胺等摩尔量的芳香簇二酐，并控制温度在50?60°C之 间连续搅拌，制成均匀的黏度稳定的聚酰胺酸复合溶液； 步骤三，将所得聚酰胺酸复合溶液制成聚酰亚胺薄膜。 优选地，所述聚四氟乙烯为颗粒尺寸小于2 μπι的粉末，所述增强填料为颗粒尺寸 小于5 μπι的粉末。 优选地，所述增强填料为二氧化硅、三氧化二铝、云母粉、高岭土、蒙脱土、滑石粉、 氮化铝、氮化钛、碳化硅中的一种或几种的混合物。 优选地，所述非质子性溶剂为Ν，Ν' -二甲基乙酰胺、Ν，Ν' -二甲基甲酰胺、Ν' -甲 基吡咯烷酮或二甲基亚砜溶剂中的一种； 优选地，所述芳香簇二胺为4, 4' -二胺基二苯醚、对苯二胺、间苯二胺、4, 4' -二胺基 二苯甲烧、二氨基二苯甲酮、4, 4'-二（4-氨基苯氧基）二苯讽、1，3'_双（3-氨基苯氧基） 苯中的一种或任意两种的混合物； 优选地，所述芳香簇二酐为均苯四甲酸二酐和/或3, 3'，4, 4' -联苯四甲酸二酐。 优选地，超声波频率20kHz?100kHz，时间15?60min。 优选地，所述聚四氟乙烯和增强填料与非质子性溶剂的质量比为〇. 〇〇6?0. 075。 本专利技术所述聚酰亚胺薄膜介电常数可至0.28?0.30之间，而且制备工艺简单、原 料成本低廉。另外，本专利技术所述聚酰亚胺薄膜在降低材料介电常数的同时还能保留、甚至提 高材料的强度、模量和尺寸稳定性。【具体实施方式】 本专利技术所列举的实施例，只是用于帮助理解本专利技术，不应理解为对本专利技术保护范 围的限定，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术思想的前提下，还可以对 本专利技术进行改进和修饰，这些改进和修饰也落入本专利技术权利要求保护的范围内。 实施例1 先将4份平均粒径0. 5 μ m的聚四氟乙烯和1份平均粒径0. 1 μ m的二氧化硅加入400 份的Ν，Ν' -二甲基乙酰胺（DMAc)溶剂中，在20°C条件下，超声波频率20kHz下超声分散 15min;然后在上述溶液中加入等摩尔比的4, 4' -二胺基二苯醚（ODA)和均苯四甲酸二酐 (PMDA)共计95份制得聚酰胺酸复合溶液，最后按现有的制备工艺制得聚酰亚胺薄膜。 实施例2 先将20份平均粒径2 μ??的聚四氟乙烯和5份平均粒径0. 1 μ??的二氧化硅加入450 份的Ν，Ν'-二甲基乙酰胺（DMAc)溶剂中，在40°C条件下，超声波频率IOOkHz下超声分 散60min;然后在上述溶液中加入等摩尔比的二氨基二苯甲酮（DABP)和均苯四甲酸二酐 (PMDA)共计75份制得聚酰胺酸复合溶液，最后按现有的制备工艺制得聚酰亚胺薄膜。 实施例3 先将10份平均粒径1 μ m的聚四氟乙烯和20份平均粒径2 μ m的滑石粉加入500份的 N，Ν' -二甲基甲酰胺（DMF)溶剂中，在40°C条件下，超声波频率IOOkHz下超声分散60min ; 然后在上述溶液中加入等摩尔比的4, 4' -二胺基二苯醚（ODA)和均苯四甲酸二酐（PMDA) 共计70份制得聚酰胺酸复合溶液，最后按现有的制备工艺制得聚酰亚胺薄膜。 实施例4 先将20份平均粒径2 μ m的聚四氟乙烯和10份平均粒径50nm的三氧化二铝加入500 份的Ν，Ν' -二甲基甲酰胺（DMF)溶剂中，在40°C条件下，超声波频率IOOkHz下超声分散 60min ;然后在上述溶液中加入摩尔比为0. 5 :0. 5 :1的4, 4' -二胺基二苯醚（ODA)，二氨基 二苯甲酮（DABP)和均苯四甲酸二酐（PMDA)共计70份制得聚酰胺酸复合溶液，最后按现有 的制备工艺制得聚酰亚胺薄膜。 实施例5 先将10份平均粒径1 μ m的聚四氟乙烯和10份平均粒径2 μ m的云母粉加入450份的 Ν' -甲基吡咯烷酮（NMP)溶剂中，在40°C条件下，超声波频率80kHz下超声分散40min ;然 后在上述溶液中加入摩尔比为0. 8 :0. 2 :0. 8 :0. 2的4, 4' -二胺基二苯醚（ODA)、对苯二胺 (PDA)、均苯四甲酸二酐（PMDA)和3, 3'，4, 4' -联苯四甲酸二酐（BPDA)共计80份制得聚 酰胺酸复合溶液，最后按现有的制备工艺制得聚酰亚胺薄膜。 实施例6 先当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
低介电常数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，包括下列质量百分比的组分：70~95%的聚酰亚胺，4~20%的聚四氟乙烯，1~20%的增强填料，上述组分的百分比之和为100%。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宋艳江，刘顺祯，
申请(专利权)人：无锡顺铉新材料有限公司，杭州师范大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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