低介电常数聚酰亚胺及其制备方法技术

本发明专利技术涉及聚酰亚胺材料技术领域，尤其是一种低介电常数聚酰亚胺及其制备方法。所述低介电常数聚酰亚胺薄膜，包括下列质量百分比的组分：70~95%的聚酰亚胺，4~20%的聚四氟乙烯，1~20%的增强填料，上述组分的百分比之和为100%。本发明专利技术所述聚酰亚胺薄膜介电常数可至0.28~0.30之间，而且制备工艺简单、原料成本低廉。另外，本发明专利技术所述聚酰亚胺薄膜在降低材料介电常数的同时还能保留、甚至提高材料的强度、模量和尺寸稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及聚酰亚胺材料
，尤其是一种低介电常数聚酰亚胺及其制备方 法。
技术介绍
随着电子信息技术的飞速发展，超大规模集成电路器件的集成度越来越高，其特 征尺寸不断缩小，这会引起电阻一电容延迟上升，出现信号传输延时、干扰增强、功率损耗 增大等问题，这将限制器件的高速性能。而缓解此问题的重要途径之一是降低介质材料的 介电常数一一即降低材料的寄生电容。聚酰亚胺因其突出的耐高低温性能和介电性能而被 大量应用于微电子工业，如芯片封装材料、屏蔽材料、柔性印制线路板的基体材料等。因此 开发低介电常数聚酰亚胺材料对提高集成电路的集成度、器件运行速度和稳定性具有重要 意义。中国科学院杨士勇等人在传统的聚酰亚胺结构中引入含氟基团，同时在聚酰亚胺中 引入孔空有可效降低聚酰亚胺的介电常数，所制得的聚酰亚胺介电常数为2. 86?2. 91。但 由于含氟单体制备工艺复杂，成本高，所制备聚酰亚胺价格昂贵；而且多孔聚酰亚胺结构强 度下降、有效体积大，均不利于聚酰亚胺在大规模集成电路器件中的应用。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种低介电常数聚酰亚胺，具有介电常数低，工 艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
低介电常数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，包括下列质量百分比的组分：70~95%的聚酰亚胺，4~20%的聚四氟乙烯，1~20%的增强填料，上述组分的百分比之和为100%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋艳江，刘顺祯，
申请(专利权)人：无锡顺铉新材料有限公司，杭州师范大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32