【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思的一些实施例涉及一种堆叠结构及其制造方法，并且更具体地，涉及一种包括二维材料层的堆叠结构及其制造方法。
技术介绍
1、因为二维过渡金属二硫属化物自身作为导体材料和半导体材料的化学性质和物理性质，二维过渡金属二硫属化物已经在各个领域(诸如太阳能电池、光检测器和发光二极管)中被研究和开发。
2、通常，在原子级薄(或称为“原子薄”)的二维材料中，物质厚度的减小引起物质的表面与质量的比增大，导致每单位质量的物质表面积增大。另外，随着电子的能态更接近分子的能态，表现出与体材料(bulk material)的物理性质完全不同的物理性质。原子级薄的二维材料的表面积的增大和活化影响了物理性质的变化(例如其熔点)，并且还通过量子效应影响了光学性质和电学性质的变化，结果原子级薄的二维材料可应用于新型光电子材料。
3、因为原子级薄的二维过渡金属二硫属化物适用于生物标志物、非线性光学材料、发光器件、光传感器、催化剂、化学传感器等，所以已经尝试了各种方法来更有效地合成薄膜形式的过渡金属二硫属化物。
技术实现思路
1、本专利技术构思的一些实施例提供了一种包括具有相同晶体取向的二维材料层的单晶堆叠结构及其制造方法。
2、根据本专利技术构思的一些实施例，一种制造堆叠结构的方法可包括下述步骤：提供具有第一二维材料层的生长室；在所述第一二维材料层上形成缺陷；以及在所述第一二维材料层上形成第二二维材料层。形成所述第二二维材料层的步骤可包括：向所述生长室供应过渡金属前体和
3、根据本专利技术构思的一些实施例，一种制造堆叠结构的方法可包括下述步骤：提供具有第一二维材料层的生长室；在所述第一二维材料层上形成缺陷；以及在所述第一二维材料层上形成第二二维材料层。形成所述第二二维材料层的步骤可包括：向所述生长室供应过渡金属前体和硫属元素前体；以及使所述过渡金属前体和所述硫属元素前体自由基化。
4、根据本专利技术构思的一些实施例，一种堆叠结构可包括：第一二维材料层，包括第一过渡金属原子和第一硫属元素原子；以及第二二维材料层，位于所述第一二维材料层上，所述第二二维材料层包括第二过渡金属原子和第二硫属元素原子。所述第一二维材料层和所述第二二维材料层可具有相同的晶体取向。
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1.一种制造堆叠结构的方法，所述方法包括下述步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二二维材料层的步骤还包括使所述过渡金属前体自由基化以形成自由基化过渡金属前体。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，使所述第一二维材料层和所述过渡金属前体反应的步骤包括使所述自由基化过渡金属前体与所述第一二维材料层反应。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述第一二维材料层和所述过渡金属前体反应的步骤包括使所述过渡金属前体在所述第一二维材料层的所述缺陷的位置处反应。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一二维材料层包括第一过渡金属原子和第一硫属元素原子，
6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述第二二维材料层的步骤包括使所述硫属元素前体中包括的第二硫属元素原子与所述第二过渡金属原子结合。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述第二二维材料层的步骤包括使彼此结合的所述第一过渡金属原子和所述第二过渡金属原子彼此分离。
8.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括使与所述第二过渡金属原子
9.根据权利要求8所述的方法，其中，使所述第一过渡金属原子和所述硫属元素前体反应的步骤包括形成与所述第一过渡金属原子结合的第二硫属元素原子。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一二维材料层上形成所述缺陷的步骤包括使所述第一二维材料层和氢自由基彼此反应以使所述第一二维材料层中包括的第一硫属元素原子与所述第一二维材料层分离。
11.一种制造堆叠结构的方法，所述方法包括下述步骤：
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一二维材料层和所述第二二维材料层具有相同的晶体取向。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一过渡金属原子和所述第二过渡金属原子是不同的过渡金属。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一过渡金属原子和所述第二过渡金属原子是相同的过渡金属。
16.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述第一二维材料层上形成所述缺陷的步骤包括：
17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一二维材料层的原子间距离与所述第二二维材料层的原子间距离不同。
18.一种堆叠结构，所述堆叠结构包括：
19.根据权利要求18所述的堆叠结构，其中，所述第一过渡金属原子的布置方向与所述第二过渡金属原子的布置方向相同。
20.根据权利要求18所述的堆叠结构，其中，所述第一二维材料层还包括第二硫属元素原子，
...【技术特征摘要】
1.一种制造堆叠结构的方法，所述方法包括下述步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二二维材料层的步骤还包括使所述过渡金属前体自由基化以形成自由基化过渡金属前体。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，使所述第一二维材料层和所述过渡金属前体反应的步骤包括使所述自由基化过渡金属前体与所述第一二维材料层反应。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述第一二维材料层和所述过渡金属前体反应的步骤包括使所述过渡金属前体在所述第一二维材料层的所述缺陷的位置处反应。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一二维材料层包括第一过渡金属原子和第一硫属元素原子，
6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述第二二维材料层的步骤包括使所述硫属元素前体中包括的第二硫属元素原子与所述第二过渡金属原子结合。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述第二二维材料层的步骤包括使彼此结合的所述第一过渡金属原子和所述第二过渡金属原子彼此分离。
8.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括使与所述第二过渡金属原子分离的所述第一过渡金属原子和所述硫属元素前体彼此反应。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，使所述第一过渡金属原子和所述硫属元素前体反应的步骤包括形成与所述第一过渡金属原子结合的...
【专利技术属性】
技术研发人员：金基康，尹锡俊，崔秀虎，
申请(专利权)人：成均馆大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：
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