用于极紫外线曝光的薄膜及其制造方法技术

提供了用于极紫外线曝光的薄膜及其制造方法。所述方法包括：在催化剂衬底上形成含石墨层；对所述含石墨层的第一表面进行表面处理以形成第一处理层；和在所述第一处理层上形成第一钝化层，其中，形成所述第一处理层包括通过对所述第一表面的所述表面处理去除所述含石墨层中包括的C

【技术实现步骤摘要】
用于极紫外线曝光的薄膜及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本专利申请要求于2022年6月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0073806的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本专利技术构思涉及薄膜(pellicle)，更具体地，涉及用于极紫外线(extreme ultraviolet)曝光的薄膜和制造该薄膜的方法。

技术介绍

[0004]在光掩模中使用的薄膜可以以膜层(film)的形式提供在光掩模上，以保护光掩模免受外部污染物(例如，灰尘或抗蚀剂)的侵害。薄膜需要对于在光刻过程中使用的光具有高的透射率，并且需要满足诸如散热特性、强度、耐久性和稳定性的需求。随着半导体器件的临界尺寸减小，可以缩短在光刻过程中使用的光的波长，以实现具有减小的临界尺寸的半导体器件。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的一些示例实施例提供了具有高透射率和优异的化学和机械耐久性的薄膜以及制造该薄膜的方法。基于这样的薄膜被构造为能够实现利用具有相对短的波长的光刻工艺，该薄膜可以实现具有降低的临界尺寸并且因此具有提高的紧凑性的半导体器件。
[0006]根据本专利技术构思的一些示例实施例，制造用于极紫外线曝光的薄膜的方法可以包括：在催化剂衬底上形成含石墨层；对所述含石墨层的第一表面进行表面处理以形成第一处理层；和在所述第一处理层上形成第一钝化层，并且形成所述第一处理层可以包括通过对所述第一表面的所述表面处理去除所述含石墨层中包括的C
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O
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C键。
[0007]根据本专利技术构思的一些示例实施例，制造用于极紫外线曝光的薄膜的方法可以包括：在催化剂衬底上形成含石墨层；对所述含石墨层的第一表面进行表面处理以形成第一处理层；和在所述第一处理层上形成第一钝化层，并且形成所述第一处理层可以包括通过对所述第一表面的所述表面处理产生C＝O键、C
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OH键或O＝C
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OH键中的至少一种。
[0008]根据本专利技术构思的一些示例实施例，用于极紫外线曝光的薄膜可以包括：含石墨层；位于所述含石墨层上的第一处理层；和位于所述第一处理层上的第一钝化层，所述第一钝化层可以包括元素“X”，所述第一处理层可以通过C
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O
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X键连接到所述第一钝化层，并且元素“X”可以包括Ti、B、Si、Zr或Mo中的至少一种。
附图说明
[0009]根据下面结合附图进行的简要描述，将更清楚地理解示例实施例。附图表示在本文中描述的非限制的示例实施例。
等的幅度或角度的偏差。
[0028]关于其他元件和/或其属性“基本上共面”的元件和/或其属性(例如，结构、表面、方向等)将被理解为在制造容差和/或材料容差内关于其他元件和/或其属性“共面”，和/或具有等于或小于10％(例如，
±
10％的容差)的关于其他元件和/或其属性的偏离“共面”等的幅度或角度的偏差。
[0029]将理解的是，元件和/或其属性可以在本文中被阐述为与其他元件“相同”或“相等”，并且还将理解的是，在本文中阐述为与其他元件“等同”、“相同”或“相等”的元件和/或其属性可以与其他元件和/或其属性“等同”、“相同”或“相等”或“基本上等同”、“基本上相同”或“基本上相等”。与其他元件和/或其属性“基本上等同”、“基本上相同”或“基本上相等”的元件和/或其属性将被理解为包括在制造容差和/或材料容差内与其他元件和/或其属性等同、相同或相等的元件和/或其属性。与其他元件和/或其属性等同或基本上等同和/或相同或基本上相同的元件和/或其属性可以是在结构上相同或基本上相同，在功能上相同或基本上相同，和/或在组成上相同或基本上相同。
[0030]将理解的是，在本文中被描述为“基本上”相同和/或等同的元件和/或其属性涵盖了具有在幅度上等于或小于10％的相对差异的元件和/或其属性。此外，无论元件和/或其属性是否被修饰为“基本上”，将理解的是，这些元件和/或其属性应该被解释为包括围绕所述元件和/或其属性的制造或操作容差(例如，
±
10％)。
[0031]当术语“大约”或“基本上”在本说明书中与数值结合使用时，相关联的数值旨在包括所述数值左右
±
10％的容差。当指定范围时，该范围包括诸如增量为0.1％的其间的所有值。
[0032]虽然在一些示例实施例中使用了术语“相同”、“相等”或“等同”，但应当理解的是，可能存在一些不精确。因此，当一个元件被称为与另一元件相同时，应当理解的是，元件或值在所需的制造或操作公差范围(例如，
±
10％)内与另一元件相同。
[0033]当在本说明书中结合数值使用术语“大约”或“基本上”时，相关联的数值旨在包括围绕所述数值的制造或操作公差(例如，
±
10％)。此外，当结合几何形状使用词语“大约”或“基本上”时，旨在不需要几何形状的精度，而是形状的纬度在本公开的范围内。此外，不管数值或形状是否被“大约”或“基本上”修饰，都将理解的是，这些值和形状应当被解释为包括围绕所述数值或形状的制造或操作公差(例如，
±
10％)。当指定范围时，该范围包括诸如增量为0.1％的其间的所有值。
[0034]如在本文中描述的，当操作被描述为“由”或“通过”执行额外操作而执行或者诸如结构的效果被描述为“由”或“通过”执行额外操作而建立时，将理解的是，该操作可以“基于”额外操作而执行和/或效果/结构可以“基于”额外操作而建立，该额外操作可以包括单独执行所述的额外操作或者与其他进一步的额外操作相结合执行所述的额外操作。
[0035]如在本文中描述的，被描述为在总体方向上和/或在特定方向上与另一元件“间隔开”(例如，垂直间隔开、横向间隔开等)和/或与其他元件“分隔开”的元件可以被理解为隔离成在总体方向上和/或在特定方向上不与其他元件直接接触(例如，隔离成在垂直方向上不与其他元件直接接触，隔离成在横向或水平方向上不与其他元件直接接触等)。类似地，被描述为在总体方向上和/或在特定方向上彼此“间隔开”(例如，垂直间隔开、横向间隔开等)和/或被描述为彼此“分隔开”的元件可以被理解为隔离成在总体方向上和/或在特定方
向上不彼此直接接触(例如，隔离成在垂直方向上不彼此直接接触，隔离成在横向或水平方向上不彼此直接接触等)。
[0036]在下文中，将参考附图详细描述根据本专利技术构思的一些示例实施例的薄膜和制造该薄膜的方法。
[0037]图1是根据一些示例实施例的薄膜的截面图。
[0038]参考图1，薄膜100可以包括含石墨层110、位于含石墨层110上的第一处理层111以及位于第一处理层111上的第一钝化层121。
[0039]含石墨层110可以包括石墨。对于在EUV曝光工艺(例如，EUV光刻)期间要通过薄膜透射以至少部分地形成或制造半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造用于极紫外线曝光的薄膜的方法，所述方法包括：在催化剂衬底上形成含石墨层；对所述含石墨层的第一表面进行表面处理以形成第一处理层；和在所述第一处理层上形成第一钝化层，其中，形成所述第一处理层包括通过对所述第一表面的表面处理去除所述含石墨层中包括的C
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O
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C键。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一处理层包括：通过对所述第一表面的所述表面处理产生C＝O键、C
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OH键或O＝C
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OH键中的至少一种。3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一处理层包括：使所述含石墨层的所述第一表面暴露于氧等离子体。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一钝化层是通过原子层沉积形成的。5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一处理层包括：形成所述第一处理层，使得所述第一处理层的表面粗糙度大于3.46nm并且小于32.3nm。6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一处理层包括：形成所述第一处理层，使得所述第一处理层的D/G比为0.1或更大并且小于0.2。7.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：对所述含石墨层的第二表面进行表面处理以形成第二处理层；和在所述第二处理层上形成第二钝化层。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二处理层和所述第二钝化层是在用升华材料覆盖所述第一钝化层之后形成的。9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一钝化层包括：形成包括TiN、BC、BN、SiC、Zr或Mo中的至少一种的所述第一钝化层。10.一种制造用于极紫外线曝光的薄膜的方法，所述方法包括：在催化剂衬底上形成含石墨层；对所述含石墨层的第一表面进行表面处理以形成第一处理层；和在所述第一处理层上形成第一钝化层，其中，形成所述第一处理层包括通过对所述第一表面的所述表面处理产生C＝O键、C
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OH键或O＝C
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【专利技术属性】
技术研发人员：金文子，南基捧，吕振浩，刘炳哲，刘址范，丁昶荣，
申请(专利权)人：成均馆大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：