用于制造技术

本公开涉及用于

【技术实现步骤摘要】
用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法


[0001]本公开涉及用于
EUV
光刻掩模的薄膜及其制造方法
。

技术介绍

[0002]薄膜
(pellicle)
是在粘合于光掩模的一侧之上的框架上拉伸的薄透明膜，以保护光掩模免受损坏
、
灰尘和
/
或湿气的影响
。
在极紫外
(EUV)
光刻中，通常需要具有
EUV
波长区域中的高透明度
、
高机械强度和低污染或无污染的薄膜
。EUV
透射隔膜
(transmitting membrane)
也用于
EUV
光刻装置以代替薄膜
。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一个方面，提供了一种制造用于极紫外
EUV
光掩模的薄膜的方法，包括：形成包括多个碳纳米管的纳米管层；将所述纳米管层附接到薄膜框架；以及通过施加电流经过所述纳米管层来对所述纳米管层执行焦耳加热处理
。
[0004]根据本公开的另一方面，提供了一种制造用于极紫外
EUV
光掩模的薄膜的方法，包括：形成包括多个碳纳米管和非晶碳的纳米管层；将所述纳米管层附接到薄膜框架；以及通过施加电流来对所述纳米管层执行焦耳加热处理，其中，所述非晶碳中的至少一部分通过所述焦耳加热处理被转换为结晶的非晶碳
。
[0005]根据本公开的又一方面，提供了一种制造用于极紫外
EUV
光掩模的薄膜的方法，包括：形成包括多个碳纳米管的纳米管层；将所述纳米管层附接到薄膜框架；以及通过施加电流来对所述纳米管层执行焦耳加热处理，其中，在所述焦耳加热处理之后，所述纳米管层包括多个碳纳米管束，在每个碳纳米管束中，所述碳纳米管被连接以形成无缝石墨结构
。
附图说明
[0006]在结合附图阅读时，可以通过下面的具体实施方式最佳地理解本公开的各方面
。
应注意，根据行业的标准惯例，各种特征不是按比例绘制的
。
事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可能被任意增大或减小
。
[0007]图
1A
和图
1B
示出了根据本公开的实施例的用于
EUV
光掩模的薄膜
。
[0008]图
2A、
图
2B、
图
2C
和图
2D
示出了根据本公开的实施例的多壁纳米管的各种视图
。
[0009]图
3A、
图
3B
和图
3C
示出了根据本公开的实施例的网络隔膜的制造过程
。
[0010]图
3D
示出了根据本公开的实施例的网络隔膜的制造过程，图
3E
示出了其流程图
。
[0011]图
4A
和图
4B
示出了根据本公开的实施例的用于制造用于
EUV
光掩模的薄膜的各个阶段之一的截面图和平面图
(
俯视图
)。
[0012]图
5A
和图
5B
示出了根据本公开的实施例的用于制造用于
EUV
光掩模的薄膜的各个阶段之一的截面图和平面图
(
俯视图
)。
[0013]图
6A
和图
6B
示出了根据本公开的实施例的用于制造用于
EUV
光掩模的薄膜的各个阶段之一的截面图和平面图
(
俯视图
)。
[0014]图
7A
和图
7B
示出了根据本公开的实施例的用于制造用于
EUV
光掩模的薄膜的流程图
。
[0015]图
8A、
图
8B、
图
8C
和图
8D
示出了根据本公开的实施例的用于薄膜或薄膜隔膜的焦耳
(Joule)
加热装置和过程的各种视图
。
[0016]图9示出了根据本公开的实施例的用于薄膜或薄膜隔膜的焦耳加热装置和过程的示意图
。
[0017]图
10
示出了根据本公开的实施例的用于薄膜或薄膜隔膜的使用感应加热和过程的焦耳加热装置的示意图
。
[0018]图
11
示出了图示根据本公开的实施例的形成纳米管束的示意图
。
[0019]图
12
示出了图示根据本公开的实施例的去除或转换非晶碳的示意图
。
[0020]图
13A、
图
13B、
图
13C、
图
13D
和图
13E
示出了根据本公开的实施例的去除残留催化剂和形成纳米管束的各种视图
。
[0021]图
14
是根据本公开的实施例的用于处理用于
EUV
光掩模的薄膜的流程图
。
[0022]图
15A、
图
15B、
图
15C、
图
15D、
图
15E
和图
15F
示出了根据本公开的实施例的
EUV
光刻过程
。
[0023]图
16A、
图
16B、
图
16C、
图
16D
和图
16E
示出了根据本公开的一些实施例的薄膜的示意图
。
[0024]图
17A
示出了根据本公开的实施例的制作半导体器件的方法的流程图，图
17B、
图
17C、
图
17D
和图
17E
示出了根据本公开的实施例的制作半导体器件的方法的顺序制造操作
。
具体实施方式
[0025]要理解的是，以下公开内容提供了许多不同的实施例或示例，以用于实现本专利技术的不同特征
。
下面描述了组件和布置的特定实施例或示例以简化本公开
。
当然，这些仅是示例而不意图是限制性的
。
例如，元件的尺寸不限于所公开的范围或值，而是可以取决于器件的工艺条件和
/
或期望性质
。
此外，在下面的描述中在第二特征之上或上形成第一特征可以包括以直接接触的方式形成第一特征和第二特征的实施例，并且还可以包括可以在第一特征和第二特征之间形成附加特征使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例
。
为了简单和清楚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种制造用于极紫外
EUV
光掩模的薄膜的方法，包括：形成包括多个碳纳米管的纳米管层；将所述纳米管层附接到薄膜框架；以及通过施加电流经过所述纳米管层来对所述纳米管层执行焦耳加热处理
。2.
根据权利要求1所述的方法，其中，所述焦耳加热处理在等于或小于
10Pa
的压力下执行
。3.
根据权利要求2所述的方法，其中，所述焦耳加热处理在惰性气体环境中执行5秒至
60
分钟
。4.
根据权利要求1所述的方法，其中，所述电流被施加为使得所述纳米管层在
800℃
至
2000℃
范围内的温度下被加热
。5.
根据权利要求4所述的方法，其中，所述电流是
DC。6.
根据权利要求4所述的方法，其中，所述电流是
AC。7.
根据权利要求1所述的方法，其中，所述焦耳加热处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：许倍诚，孙鼎弼，李信昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：