防护膜及其组件和组件框体、组件制造方法、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明专利技术的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为200nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向，上述防护膜的碳纳米管片的膜厚方向的峰强度与碳纳米管片的面内方向的峰强度之比R

【技术实现步骤摘要】
防护膜及其组件和组件框体、组件制造方法、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法
[0001]本申请是申请号为201780038819.9、申请日为2017年7月3日、专利技术名称“防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件、其制造方法、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及通过光刻技术制造半导体器件等时所使用的光掩模或中间掩模(以下，将它们统称为“光掩模”)、以及作为防止尘埃附着的光掩模用防尘盖的防护膜组件等。特别是，本专利技术涉及作为极端紫外光(Extreme Ultraviolet：EUV)光刻用的极薄膜的防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件、及其制造方法、以及使用了它们的曝光原版、半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0003]半导体元件经过被称为光刻的工序而制造。光刻中，使用扫描仪、被称为步进曝光机的曝光装置，对描绘有电路图案的掩模照射曝光光，向涂布有光致抗蚀剂的半导体晶片转印电路图案。此时，如果在掩模上附着尘埃等异物，则该异物的影子会转印到半导体晶片，不能准确转印电路图案。作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种曝光用防护膜，是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，所述防护膜的厚度为200nm以下，所述防护膜包含碳纳米管片，所述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，所述捆的直径为100nm以下，所述捆在所述碳纳米管片中进行面内取向，所述防护膜满足下述条件(1)，所述防护膜具有50％以上的透射率，(1)对于来源于所述碳纳米管的捆的三角晶格的d＝0.37nm即g＝2.7nm
‑1附近的峰，使用以下式子定义的、所述碳纳米管片的膜厚方向的峰强度与所述碳纳米管片的面内方向的峰强度之比R
B
为0.40以上，上述式子中，和表示所述碳纳米管片的膜厚方向的衍射强度，和表示所述碳纳米管片的面内方向的衍射强度，g的值不限为2.7nm
‑1或2.2nm
‑1，分别使用峰位置成为最大时的g的值、以及在与该衍射峰不重叠的位置能够减去成为基线的强度的g的值。2.根据权利要求1所述的曝光用防护膜，所述碳纳米管的管直径为0.8nm以上6nm以下。3.根据权利要求1所述的曝光用防护膜，所述碳纳米管片在面方向具有由所述捆形成的网状结构。4.根据权利要求1所述的曝光用防护膜，其进一步包含与所述碳纳米管片相接的保护层。5.根据权利要求4所述的曝光用防护膜，所述保护层包含选自由SiO
x
、Si
a
N
b
、SiON、Y2O3、YN、Mo、Ru、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、B4C、SiC和Rh所组成的组中的1种以上，其中，SiO
x
中x≤2，Si
a
N
b
中a/b为0.7～1.5。6.一种防护膜组件，其具有：权利要求1～5中任一项所述的曝光用防护膜、以及支撑所述防护膜的支撑框。7.一种防护膜，其包含碳纳米管片，所述碳纳米管片中，碳纳米管的直径为0.8nm以上6nm以下，碳纳米管的长度为10μm以上10cm以下，碳纳米管中的碳的含量为98质量％以上，所述防护膜满足下述条件(1)，所述防护膜具有50％以上的透射率，(1)对于来源于所述碳纳米管的捆的三角晶格的d＝0.37nm即g＝2.7nm
‑1附近的峰，使用以下式子定义的、所述碳纳米管片的膜厚方向的峰强度与所述碳纳米管片的面向方向的峰强度之比R
B
为0.40以上，
上述式子中，和表示所述碳纳米管片的膜厚方向的衍射强度，和表示所述碳纳米管片的面内方向的衍射强度，g的值不限为2.7nm
‑1或2.2nm
‑1，分别使用峰位置成为最大时的g的值、以及在与该衍射峰不重叠的位置能够减去成为基线的强度的g的值。8.根据权利要求7所述的防护膜，所述碳纳米管的长度相对于直径之比即长度/直径为1
×
104以上1
×
108以下。9.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野阳介，大久保敦，高村一夫，关口贵子，加藤雄一，山田健郎，
申请(专利权)人：国立研究开发法人产业技术综合研究所，
类型：发明
国别省市：