光刻版及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种光刻版及其制造方法，其中，所述光刻版包括基板、设置于所述基板的表面的光刻版图形以及设置于所述基板上的保护层，所述保护层覆盖所述基板中设置有所述光刻版图形的区域，且所述保护层的透光率为95％～100％。本发明专利技术通过形成直接覆盖基板和光刻版图形的保护层，减少了保护层的破损风险，增强了保护层的耐用性，同时减少或避免了光刻版图形生长结晶缺陷，延长了光刻版的使用次数和时间周期，节约了生产成本。进一步地，所述保护层的厚度大于所述光刻版图形的厚度，进一步减少了保护层的破损风险，增强了保护层的耐用性。进一步地，所述保护层的表面平坦，提高了所述光刻版传递图像信息时的清晰度。光刻版传递图像信息时的清晰度。光刻版传递图像信息时的清晰度。

【技术实现步骤摘要】
光刻版及其制造方法


[0001]本专利技术涉及集成电路制造
，尤其涉及一种光刻版及其制造方法。

技术介绍

[0002]光刻工艺作为半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，采用紫外光作为曝光光线，以光刻版(Mask)为中间媒介实现图形的变换、转移和处理，最终将图像信息传递到晶圆片(主要指硅片)或介质层上。在集成电路制造领域中，光刻版(又称光掩模版或者光罩)是连接设计端与工艺制造端的纽带和桥梁。
[0003]图1为一种光刻版的制造方法的流程图，图2为所述光刻版的结构示意图。参阅图1和图2，现有的光刻版制造方法通常包括：提供基板100，在基板100表面制备光刻版图形110；在所述基板100上方装透明的保护蒙膜120，且所述保护蒙膜120罩住所述光刻版图形110所在的区域，以避免颗粒物掉落到基板100表面的光刻版图形110中，从而避免产生光刻工艺缺陷。
[0004]然而，所述保护蒙膜是一层透光薄膜，极易破损，从而导致其他生产缺陷。此外，随着光刻版的使用次数的增加和存放时间的增长，光刻版图形表面会生长结晶缺陷，且缺陷数量日益增多。这种结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻版，其特征在于，包括：基板；光刻版图形，设置于所述基板的表面；以及，保护层，设置于所述基板上，所述保护层覆盖所述基板中设置有所述光刻版图形的区域，且所述保护层的透光率为95％～100％。2.如权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述保护层的表面平坦。3.如权利要求1或2所述的光刻版，其特征在于，所述保护层的厚度大于所述光刻版图形的厚度。4.如权利要求3中所述的光刻版，其特征在于，所述保护层的顶面高出所述光刻版图形的顶面0.5μm～12000μm。5.如权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述保护层的材料包括二氧化硅。6.一种光刻版的制造方法，用于制造如权利要求1～5中任一项所述的光刻版，其特征在于，包括：提供基板，所述基板上形成有光刻版图形；以及，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟峰，王雷，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：