光刻版及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种光刻版及其制造方法，其中，所述光刻版包括基板、设置于所述基板的表面的光刻版图形以及设置于所述基板上的保护层，所述保护层覆盖所述基板中设置有所述光刻版图形的区域，且所述保护层的透光率为95％～100％。本发明专利技术通过形成直接覆盖基板和光刻版图形的保护层，减少了保护层的破损风险，增强了保护层的耐用性，同时减少或避免了光刻版图形生长结晶缺陷，延长了光刻版的使用次数和时间周期，节约了生产成本。进一步地，所述保护层的厚度大于所述光刻版图形的厚度，进一步减少了保护层的破损风险，增强了保护层的耐用性。进一步地，所述保护层的表面平坦，提高了所述光刻版传递图像信息时的清晰度。光刻版传递图像信息时的清晰度。光刻版传递图像信息时的清晰度。

【技术实现步骤摘要】
光刻版及其制造方法


[0001]本专利技术涉及集成电路制造
，尤其涉及一种光刻版及其制造方法。

技术介绍

[0002]光刻工艺作为半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，采用紫外光作为曝光光线，以光刻版(Mask)为中间媒介实现图形的变换、转移和处理，最终将图像信息传递到晶圆片(主要指硅片)或介质层上。在集成电路制造领域中，光刻版(又称光掩模版或者光罩)是连接设计端与工艺制造端的纽带和桥梁。
[0003]图1为一种光刻版的制造方法的流程图，图2为所述光刻版的结构示意图。参阅图1和图2，现有的光刻版制造方法通常包括：提供基板100，在基板100表面制备光刻版图形110；在所述基板100上方装透明的保护蒙膜120，且所述保护蒙膜120罩住所述光刻版图形110所在的区域，以避免颗粒物掉落到基板100表面的光刻版图形110中，从而避免产生光刻工艺缺陷。
[0004]然而，所述保护蒙膜是一层透光薄膜，极易破损，从而导致其他生产缺陷。此外，随着光刻版的使用次数的增加和存放时间的增长，光刻版图形表面会生长结晶缺陷，且缺陷数量日益增多。这种结晶缺陷会直接导致光刻版投影到硅片的正常图形产生缺陷，从而导致产品良率下降
[0005]鉴于此，需要一种方法提高增强保护蒙膜的耐用性，同时减少或避免光刻版图形上生长结晶缺陷。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种光刻版及其制造方法，增强了保护层的耐用性，减少或避免了光刻版图形生长结晶缺陷。
[0007]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种光刻版，包括：
[0008]基板；
[0009]光刻版图形，设置于所述基板的表面；以及，
[0010]保护层，设置于所述基板上，所述保护层覆盖所述基板中设置有所述光刻版图形的区域，且所述保护层的透光率为95％～100％。
[0011]可选的，所述保护层的表面平坦。
[0012]可选的，所述保护层的厚度大于所述光刻版图形的厚度。
[0013]可选的，所述保护层的顶面高出所述光刻版图形的顶面0.5μm～12000μm。
[0014]可选的，所述保护层的材料包括二氧化硅。
[0015]相应地，本专利技术还提供一种光刻版的制造方法，用于制造所述光刻版，包括：
[0016]提供基板，所述基板上形成有光刻版图形；以及，
[0017]形成保护层，所述保护层覆盖所述基板中形成有所述光刻版图形的区域。
[0018]可选的，形成所述保护层的过程包括：
[0019]在所述基板和所述光刻版图形上形成保护材料层；以及，
[0020]对所述保护材料层进行平坦化处理，以形成表面平坦的保护层。
[0021]可选的，采用外延生长工艺或热氧化生长工艺形成所述保护材料层，或采用涂覆后硬化处理形成所述保护材料层。
[0022]可选的，所述保护材料层包括若干层，每层保护材料层的材料均为高透光率材料，所述高透光率材料的透光率为95％～100％。
[0023]可选的，采用化学机械研磨工艺或压印工艺进行平坦化处理。
[0024]综上所述，本专利技术提供了一种光刻版及其制造方法，其中，所述光刻版包括基板、设置于所述基板的表面的光刻版图形以及设置于所述基板上的保护层，所述保护层覆盖所述基板中设置有所述光刻版图形的区域，且所述保护层的透光率为95％～100％。所述光刻版的制造方法包括：提供基板，所述基板上形成有光刻版图形；以及，形成保护层，所述保护层覆盖所述基板中形成有所述光刻版图形的区域。本专利技术通过形成直接覆盖基板和光刻版图形的保护层，增强了保护层的耐用性，同时减少或避免了光刻版图形生长结晶缺陷，延长了光刻版的使用次数和时间周期，节约了生产成本。
[0025]进一步地，所述保护层的厚度大于所述光刻版图形的厚度，进一步减少了保护层的破损风险，增强了保护层的耐用性。
[0026]进一步地，所述保护层的表面平坦，提高了所述光刻版传递图像信息时的清晰度。
附图说明
[0027]图1为一种光刻版的制造方法的流程图；
[0028]图2为一种光刻版的结构示意图；
[0029]图3为本专利技术一实施例提供的光刻版的制造方法的流程图；
[0030]图4至图6为本专利技术一实施例提供的光刻版的制造方法中各个步骤对应的结构示意图；
[0031]其中，附图标记如下：
[0032]100
‑
基板；110
‑
光刻版图形；120
‑
保护蒙膜；
[0033]200
‑
基板；210
‑
光刻版图形；220
‑
保护层。
具体实施方式
[0034]为使本专利技术的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
[0035]如在本专利技术中所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”包括复数对象，术语“或”通常是以包括“和/或”的含义而进行使用的，术语“若干”通常是以包括“至少一个”的含义而进行使用的，术语“至少两个”通常是以包括“两个或两个以上”的含义而进行使用的，此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者至少两个该特征，“一端”与“另一端”以及“近端”与“远端”通常
是指相对应的两部分，其不仅包括端点，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。此外，如在本专利技术中所使用的，一元件设置于另一元件，通常仅表示两元件之间存在连接、耦合、配合或传动关系，且两元件之间可以是直接的或通过中间元件间接的连接、耦合、配合或传动，而不能理解为指示或暗示两元件之间的空间位置关系，即一元件可以在另一元件的内部、外部、上方、下方或一侧等任意方位，除非内容另外明确指出外。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0036]图6为本专利技术一实施例提供的光刻版的结构示意图。参阅图6，本实施例所述的光刻版包括：
[0037]基板200；
[0038]光刻版图形210，设置于所述基板200的表面；以及，
[0039]保护层220，设置于所述基板200上，所述保护层220覆盖所述基板200中设置有所述光刻版图形210的区域，且所述保护层220的透光率为95％～100％。
[0040]本实施例中，所述保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻版，其特征在于，包括：基板；光刻版图形，设置于所述基板的表面；以及，保护层，设置于所述基板上，所述保护层覆盖所述基板中设置有所述光刻版图形的区域，且所述保护层的透光率为95％～100％。2.如权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述保护层的表面平坦。3.如权利要求1或2所述的光刻版，其特征在于，所述保护层的厚度大于所述光刻版图形的厚度。4.如权利要求3中所述的光刻版，其特征在于，所述保护层的顶面高出所述光刻版图形的顶面0.5μm～12000μm。5.如权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述保护层的材料包括二氧化硅。6.一种光刻版的制造方法，用于制造如权利要求1～5中任一项所述的光刻版，其特征在于，包括：提供基板，所述基板上形成有光刻版图形；以及，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟峰，王雷，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：