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本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为200nm...
该专利属于国立研究开发法人产业技术综合研究所所有，仅供学习研究参考，未经过国立研究开发法人产业技术综合研究所授权不得商用。

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