【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】防护膜组件、曝光原版、曝光装置、防护膜组件的制造方法和半导体装置的制造方法
[0001]本公开涉及防护膜组件
、
曝光原版
、
曝光装置
、
防护膜组件的制造方法和半导体装置的制造方法
。
技术介绍
[0002]在电子部件
、
印刷基板
、
显示面板等物体的表面涂布感光性物质，并曝光成图案状来形成图案的技术
(
光刻
)
中，使用在被称为光掩模的一面上形成有图案的透明基板
。
[0003]近年来，随着曝光图案的高精细化发展，作为曝光的光源，代替
DUV(Deep Ultra Violet
：远紫外
)
光，利用更短波长的
EUV(Extreme Ultra Violet
：极紫外
)
光正在增多
。
在使用
EUV
光的曝光方法中，使用具备将曝光光反射的反射层的光掩模
。
为了防止...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种防护膜组件，其具备：具有开口部的支撑框
、
以及覆盖所述开口部且被所述支撑框支撑的防护膜，所述防护膜具有覆盖所述开口部的自支撑膜区域，所述自支撑膜区域包含曝光用区域和围绕所述曝光用区域的周缘区域，所述周缘区域具有膜厚大于所述曝光用区域的膜厚的厚膜部，所述防护膜组件满足下述
(i)
或
(ii)
：
(i)
所述支撑框为由一对长边部和一对短边部形成的矩形状的框体，所述厚膜部至少位于在所述长边部延伸的延伸方向上
、
在所述周缘区域中沿所述长边部形成的一对长边区域，所述一对长边区域表示在所述周缘区域中的2个位置之间的区域，该2个位置为在所述延伸方向上，从所述长边部的中央部起朝向一侧和另一侧分别相离表示所述长边部在所述开口部中的长度的至少5％的距离的位置，
(ii)
所述支撑框为由一对第一边部和一对第二边部形成的正方形状的框体，所述厚膜部至少位于在所述周缘区域中，在所述第一边部延伸的第一延伸方向上沿所述第一边部形成的一对第一中央区域
、
以及在所述第二边部延伸的第二延伸方向上沿所述第二边部形成的一对第二中央区域，所述一对第一中央区域表示在所述周缘区域中的2个位置之间的区域，该2个位置为在所述第一延伸方向上，从所述第一边部的中央部起朝向一侧和另一侧分别相离表示所述第一边部在所述开口部中的长度的至少5％的距离的位置，所述一对第二中央区域表示在所述周缘区域中的2个位置之间的区域，该2个位置为在所述第二延伸方向上，从所述第二边部的中央部起朝向一侧和另一侧分别相离表示所述第二边部在所述开口部中的长度的至少5％的距离的位置
。2.
根据权利要求1所述的防护膜组件，其满足所述
(i)。3.
根据权利要求1所述的防护膜组件，其满足所述
(ii)。4.
根据权利要求1～3中任一项所述的防护膜组件，所述厚膜部的膜厚为所述曝光用区域的膜厚的
1.5
倍以上
100
倍以下
。5.
根据权利要求1～4中任一项所述的防护膜组件，所述防护膜包含碳纳米管
。6.
根据权利要求1～5中任一项所述的防护膜组件，所述支撑框与所述防护膜接触
。7.
根据权利要求1～6中任一项所述的防护膜组件，所述防护膜具有不具备贯通孔的第一膜部以及在与所述曝光用区域对应的区域不具备膜部的第二膜部，所述第一膜部具有包含碳纳米管的第一
CNT
层，所述第二膜部具有包含碳纳米管的第二
CNT
层，所述厚膜部中的所述第一
CNT
层和所述第二
CNT
层的总厚度为所述...
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