半导体结构体及其制造方法技术

一种半导体结构体，具有半导体基板、复合基板和中间接合层，该半导体基板包含半导体基板接合层，该半导体基板接合层包含绝缘层和电极，该复合基板包含二维配置的多个硅裸片和填充在多个硅裸片之间的有机间隙填充材料，该中间接合层介于半导体基板中的半导体基板接合层与复合基板之间，且包含绝缘层和电极，半导体基板中的半导体基板接合层与中间接合层混合接合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体结构体及其制造方法。

技术介绍

1、近年来，从半导体器件的高集成化的观点出发，研究了在厚度方向上层叠半导体基板和半导体芯片(例如硅裸片)的技术。

2、例如，在专利文献1中公开了一种半导体结构体，其包括：设置在布线层上的裸片组；以及设置在布线层上并包围裸片组的周围的包含硅的无机间隙填充材料。

3、专利文献1：美国专利公开第2022/0013504号说明书

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、然而，在沿厚度方向层叠半导体基板与硅裸片的技术中，作为为了提高每单位面积的数据传输而以高密度进行接合的技术，正在进行混合接合的开发。

3、在本公开中，混合接合是指通过使电极和绝缘材料露出的2个面彼此接触而将电极彼此接合且将绝缘膜彼此接合的方式的接合。

4、在具备通过混合接合而接合的半导体基板以及多个硅裸片和间隙填充材料的半导体结构体中，在应用专利文献1中记载的无机间隙填充材料作为间隙填充材料的情况下，有时由于无机间隙填充材料的膜应力而产生半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构体，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体结构体，其中，所述中间接合层横跨所述多个硅裸片中的至少2个而配置。

3.根据权利要求1所述的半导体结构体，其中，进一步在所述复合基板与所述中间接合层之间具备包含绝缘层和布线的再布线层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构体，其中，所述多个硅裸片中的至少2个经由所述再布线层电连接。

5.根据权利要求3所述的半导体结构体，其中，所述再布线层中的所述绝缘层包含选自由SiO2层、SiCN层、SiN层以及包含硅氧烷键的树脂层组成的组中的至少1种。

6.根据权利要求1所述的半导体结...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体结构体，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体结构体，其中，所述中间接合层横跨所述多个硅裸片中的至少2个而配置。

3.根据权利要求1所述的半导体结构体，其中，进一步在所述复合基板与所述中间接合层之间具备包含绝缘层和布线的再布线层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构体，其中，所述多个硅裸片中的至少2个经由所述再布线层电连接。

5.根据权利要求3所述的半导体结构体，其中，所述再布线层中的所述绝缘层包含选自由sio2层、sicn层、sin层以及包含硅氧烷键的树脂层组成的组中的至少1种。

6.根据权利要求1所述的半导体结构体，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：茅场靖刚，四釜拓生，
申请(专利权)人：三井化学株式会社，
类型：发明
国别省市：