一种带树脂层的半导体芯片(20A)的制造方法，其包括：准备包含半导体基板(21)和层叠于半导体基板上的树脂层(23)的层叠体(20)的工序；将层叠体以树脂层露出的方式与切割带(42)贴合的工序；在层叠体的树脂层上形成保护层(33)的工序；通过激光烧蚀形成贯通保护层和树脂层的槽(34)的工序；通过槽将半导体基板单片化的工序；以及除去切割后的保护层(33A)的工序。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种带树脂层的半导体芯片的制造方法及基板层叠体的制造方法。
技术介绍
1、随着电子设备的小型轻量化、高性能化的发展，要求半导体芯片等的高集成化。但是，电路的微细化越发展，越难以充分应对该要求。因此，近年来，提出了通过将多片半导体基板(晶片)、半导体芯片等纵向(在厚度方向上)层叠，制成多层的三维结构，从而进行高集成化的方法。
2、作为将半导体基板(晶片)、半导体芯片等(以后，有时称为“半导体基板等”)层叠并接合的方法，有在层叠的半导体基板等的电极间经由焊料进行接合的方法。但是，随着电路的微细化，存在相邻焊料的熔接、合金化所致的破裂、由来自焊料的发热所致的器件误动作等问题。
3、另一方面，提出了将层叠的半导体基板等的电极彼此不经由焊料而直接接合的直接接合方法、使用粘接剂的方法等(例如，专利文献1～3)。
4、另外，作为将半导体基板切割而单片化为半导体芯片的方法，提出了在半导体基板上形成经图案化的掩模，对半导体基板的未形成掩模的部分进行等离子体蚀刻而进行单片化的等离子体切割等切割方法。
>5、例如，在专利文本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种带树脂层的半导体芯片的制造方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的带树脂层的半导体芯片的制造方法，所述层叠体是包含从所述树脂层的一部分露出的电极的层叠体。
3.根据权利要求1所述的带树脂层的半导体芯片的制造方法，在所述树脂层的表面具有选自由硅烷醇基、氨基、环氧基、羟基和具有不饱和键的官能团组成的组中的至少一种官能团。
4.根据权利要求1所述的带树脂层的半导体芯片的制造方法，所述树脂层是包含硅氧烷键以及选自由酯键、醚键、酰胺键和酰亚胺键组成的组中的至少任一种键的树脂层。
5.根据权利要求1所述的带树脂层的半导体芯片的制造方法，所述保护...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种带树脂层的半导体芯片的制造方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的带树脂层的半导体芯片的制造方法，所述层叠体是包含从所述树脂层的一部分露出的电极的层叠体。
3.根据权利要求1所述的带树脂层的半导体芯片的制造方法，在所述树脂层的表面具有选自由硅烷醇基、氨基、环氧基、羟基和具有不饱和键的官能团组成的组中的至少一种官能团。
4.根据权利要求1所述的带树脂层的半导体芯片的制造方法，所述树脂层是包含硅氧烷键以及选自由酯键、醚键、酰胺键和酰亚胺键组成的组中的至少任一种键的树脂层。
5.根据权利要求1所述的带树...
【专利技术属性】
技术研发人员：田村佳保里，稻田智志，中村雄三，茅场靖刚，
申请(专利权)人：三井化学株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。