【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例总体上涉及从碳化硅部件的表面去除晶体结构的化学 溶液处理的使用，更具体地，涉及从用作半导体处理装置的那种碳化硅部 件的表面去除受损晶体结构的化学溶液处理的使用。
技术介绍
这部分描述与本专利技术相关的
技术介绍
。没有明示或暗示的目的表明在 这部分所讨论的
技术介绍
在法律意义上构成现有技术。抗腐蚀(包括侵蚀)是在腐蚀环境出现的半导体处理室中使用的设备 部件的重要特性，例如在等离子清洁和蚀刻工艺以及等离子增强化学气相 沉积工艺中。在高能等离子出现并且结合化学反应以作用于环境中出现的 部件的表面时，尤其如此。在腐蚀气体单独接触处理设备部件表面时，也 是一个重要特性。与抗腐蚀密切相关的是半导体装置处理期间避免颗粒的形成。颗粒在 制造期间会污染装置表面，降低合格装置的产量。尽管颗粒可由多种源头 产生，设备部件中已经机械加工过的区域的腐蚀是颗粒产生的主要源头。处理室、在电子器件和微型机电系统(MEMS)的制造中所使用的存 在于半导体处理室内的设备部件经常由例如碳化硅、氮化硅、碳化硼、氮 化硼、氮化铝和氧化铝及其组合物的陶瓷材料制成。在一些情形中，根据所述设备的...
【技术保护点】
一种从碳化硅部件表面去除由于机械加工受损的碳化硅晶体结构的方法，包括： 由液体氧化剂处理所述部件的碳化硅表面，其中所述处理将碳化硅转化成二氧化硅；以及 由液体处理去除所述二氧化硅， 其中，所述碳化硅表面的所述处理和所述二氧 化硅的所述去除每个都执行至少一次，或者可依次重复执行多次。
【技术特征摘要】
US 2007-12-3 11/999,0831、一种从碳化硅部件表面去除由于机械加工受损的碳化硅晶体结构的方法，包括由液体氧化剂处理所述部件的碳化硅表面，其中所述处理将碳化硅转化成二氧化硅；以及由液体处理去除所述二氧化硅，其中，所述碳化硅表面的所述处理和所述二氧化硅的所述去除每个都执行至少一次，或者可依次重复执行多次。2、 如权利要求1所述的方法，其中，在由所述液体氧化剂对所述碳 化硅表面进行所述处理之前，露出所述碳化硅部件的所述表面以使得所述 表面更容易由所述液体氧化剂进行所述处理，其中，露出所述表面通过使 用等离子蚀刻或液体蚀刻剂二者之一来完成，其中所述蚀刻剂是非氧化剂 或氧化剂二者之一。3、 如权利要求1所述的方法，其中，从所述部件表面去除的碳化硅 的量为深度至少0.05][mi。4、 如权利要求3所述的方法，其中，所述深度范围为约1/xm到 50/mi。5、 如权利要求4所述的方法，其中，所述深度范围为约1/mi到 5/mi。6、 如权利要求1所述的方法，其中，由所述液体氧化剂对所述碳化 硅表面进行的所述处理在约2(TC到约20(TC的温度范围内在超声波浴液内 进行，时间段范围为约1小时到约100小时。7、 如权利要求6所述的方法，其中，由所述液体氧化剂对所述碳化 硅表面进行的所述处理的时间段的范围为约1小时到约40小时。8、 如权利要求7所述的方法，其中，所述二氧化硅的所述去除在约 2(TC到约200。C的温度范围内在超声波浴液内进行，时间段范围为约5分 钟到约100小时。9、 如权利要求8所述的方法，其中，由所述液体氧化剂对所述碳化硅表面进行的所述处理与二氧化硅的所述去除依次重复循环处理至少2 次。10、 如权利要求1所述的方法，其中，所述液体氧化剂从包括下列物质的组中选择KMn04 、 HN03 、 HC104 、 H20+H202+NH4OH 、H202+H2S04及其混合物。11、 如权利要求7所述的方法，其中，所述液体氧化剂从包...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹尼弗Y孙，周爱琳，徐力，肯尼思S柯林斯，托马斯格瑞斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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