一种避免空心阴极放电的喷淋头制造技术

一种避免空心阴极放电的喷淋头，解决现有技术存在的半导体镀膜设备在沉积工艺过程中出现的空心阴极放电现象的问题，本发明专利技术提供一种避免空心阴极放电的喷淋头，喷淋头与载物台形成相对面，载物台上放置所载物，该喷淋头包括喷淋头本体，所述喷淋头本体上设有喷淋头小孔，喷淋头小孔包括上表面小孔和下表面小孔。本发明专利技术解决了现有技术存在的半导体镀膜设备在沉积工艺过程中出现的空心阴极放电现象，防止反应腔室发生打火，避免了硬件损伤，保证了工艺的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种应用于半导体镀膜设备反应腔室的喷淋头,特别涉及一种避免空心阴极放电的喷淋头，属于半导体薄膜沉积的应用

技术介绍
现有的半导体镀膜设备的喷淋头由于背面的孔径处于容易产生空心阴极放电的鞘层范围内，因此会在喷淋板背面形成辉光区，发生反应腔打火现象，从而影响工艺质量。
技术实现思路
本专利技术以解决上述现有问题为目的，提供了一种避免空心阴极放电的喷淋头，本专利技术采用了新型阶梯式喷淋板，解决现有设备工艺过程中由空心阴极放电引起的反应腔打火问题。为实现上述目的，本专利技术采用下述技术方案：一种避免空心阴极放电的喷淋头，喷淋头与载物台形成相对面，载物台上放置所载物，该喷淋头包括喷淋头本体，所述喷淋头本体上设有喷淋头小孔，喷淋头小孔包括上表面小孔和下表面小孔。所述喷淋头小孔为阶梯式结构。所述下表面小孔孔径小于上表面小孔孔径。所述喷淋头与载物台形成相对面设置于反应腔室中，反应气体从喷淋头向反应区域进行气体供给。所述喷淋头设置有多个喷淋头小孔，用于反应气体以喷淋状向载物台均匀供给。所述喷淋头可与载物台形成上下电极。所述喷淋头与载物台之间施加电压形成等离子体，可对载物台及所载物进行等离子体处理。本专利技术的有益效果是：本专利技术的喷淋头小孔采用阶梯式设计，通过扩大喷淋头上表面孔径尺寸，可以破坏空心阴极放电条件，从而避免喷淋头背面的辉光放电，解决了现有技术存在的半导体镀膜设备在沉积工艺过程中出现的空心阴极放电现象，防止反应腔室发生打火，避免了硬件损伤，保证了工艺的稳定性。附图说明图1为本专利技术的结构示意图；图2为喷淋头小孔的局部放大图；图3为喷淋头与载物台相对位置示意图；具体实施方式下面结合实施例进一步对本专利技术进行详细说明，但专利技术保护内容不局限于所述实施例：实施例参考图1至图3，一种避免空心阴极放电的喷淋头，喷淋头与载物台5形成相对面，载物台5上放置所载物6，该喷淋头包括喷淋头本体1，所述喷淋头本体1上设有喷淋头小孔2，喷淋头小孔2包括上表面小孔3和下表面小孔4。所述喷淋头小孔2为阶梯式结构。所述下表面小孔4孔径小于上表面小孔3孔径。所述喷淋头与载物台5形成相对面设置于反应腔室中，反应气体从喷淋头向反应区域进行气体供给。所述喷淋头设置有多个喷淋头小孔2，用于反应气体以喷淋状向载物台5均匀供给。所述喷淋头可与载物台5形成上下电极。所述喷淋头与载物台5之间施加电压形成等离子体，可对载物台5及所载物6进行等离子体处理。喷淋头开孔区域设置有多个喷淋头小孔2，用于向反应腔室内以喷淋状喷射反应气体。这些喷淋头小孔2按照一定的规律进行分布，可以是均匀分布也可以是非均匀分布，本实施例采用均匀分布。从喷淋头的喷淋头小孔2以喷淋状对载物台5进行工艺气体的供给，并从载物台5周围均匀排气，通过控压装置稳压后，喷淋头与载物台5作为上下电极来施加电压可在喷淋头与载物台5间形成等离子体场，对所载物6进行等离子体处理，本实施例载物台5的所载物6是300mm硅片。喷淋头小孔2采用台阶式结构，上表面小孔3孔径大于下表面小孔4孔径，小孔3孔径为4mm，小孔3孔径为0.8mm，这种比例的孔径设计可以避开空心阴极放电的条件，保证工艺的稳定性。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种避免空心阴极放电的喷淋头，喷淋头与载物台形成相对面，载物台上放置所载物，其特征在于，该喷淋头包括喷淋头本体，所述喷淋头本体上设有喷淋头小孔，喷淋头小孔包括上表面小孔和下表面小孔。

【技术特征摘要】
1.一种避免空心阴极放电的喷淋头，喷淋头与载物台形成相对面，载物台上放置所载物，其特征在于，该喷淋头包括喷淋头本体，所述喷淋头本体上设有喷淋头小孔，喷淋头小孔包括上表面小孔和下表面小孔。2.如权利要求1所述的一种避免空心阴极放电的喷淋头，其特征在于，喷淋头小孔为阶梯式结构。3.如权利要求1所述的一种避免空心阴极放电的喷淋头，其特征在于，所述下表面小孔孔径小于上表面小孔孔径。4.如权利要求1所述的一种避免空心阴极放电的喷淋头，其特征在于，所述喷淋头...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨凌旭，戚艳丽，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21