【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于化学气相沉积设备领域,具体涉及一种碳化硅沉积设备的进气装置。
技术介绍
气相沉积技术是利用气相中发生的物理、化学过程,在工件表面形成功能性的金属、非金属或化合物涂层。化学气相淀积是指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。碳化硅沉积设备用于以三氯甲基硅烷(MTS)为气源的材料表面抗氧化涂层和基体改性。为了取得好的沉积效果,必须对MTS的流量和压力进行精密控制,保证炉膛内沉积气流稳定,压力波动在指定的范围之内。现有的碳化硅沉积设备进气装置,利用氢气和氩气在MTS储液罐中进行混合,然后携带MTS气体直接进入炉体,气体波动较大,裂解气流不稳定,导致沉积速度不稳定,涂层不均匀,涂层材料的结合性不好。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于,提供一种能够精确控制碳化硅沉积设备进气压力的进气装置。为了解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案是:一种碳化硅沉积设备的进气装置,包括MTS储液罐、混合罐和缓冲罐,所述MTS储液罐上设有氢气输入管道,所述氢气输入管道开口伸入到MTS液位下方,所述MTS储液罐的顶部还设有储液罐排气口,所述储液罐排气口通过第一管道与所述混合罐的第一进气口相连,所述混合罐还设有第二进气口,所述第二进气口用于输入氩气,所述混合罐设有混合罐排气口,所述混合罐排气口通过第二管道与所述缓冲罐的进气口相连,所述缓冲罐设有缓冲罐排气口,所述缓冲罐排气口通过第三管道与碳化硅沉积设备的炉体相连。进一步的,在本专利技术一种优选的实施方式中,上述方案中的碳化硅沉积设备进气 ...
【技术保护点】
一种碳化硅沉积设备的进气装置,其特征在于:包括MTS储液罐(1)、混合罐(2)和缓冲罐(3),所述MTS储液罐(1)上设有氢气输入管道(11),所述氢气输入管道(11)开口伸入到MTS液位下方,所述MTS储液罐(1)的顶部还设有储液罐排气口(12),所述储液罐排气口(12)通过第一管道(51)与所述混合罐(2)的第一进气口(21)相连,所述混合罐(2)还设有第二进气口(22),所述第二进气口(22)用于输入氩气,所述混合罐(2)设有混合罐(2)排气口,所述混合罐(2)排气口通过第二管道(52)与所述缓冲罐(3)的进气口(31)相连,所述缓冲罐(3)设有缓冲罐排气口(32),所述缓冲罐排气口(32)通过第三管道(53)与碳化硅沉积设备的炉体(4)相连。
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅沉积设备的进气装置,其特征在于:包括MTS储液罐(1)、混合罐(2)和缓冲罐(3),所述MTS储液罐(1)上设有氢气输入管道(11),所述氢气输入管道(11)开口伸入到MTS液位下方,所述MTS储液罐(1)的顶部还设有储液罐排气口(12),所述储液罐排气口(12)通过第一管道(51)与所述混合罐(2)的第一进气口(21)相连,所述混合罐(2)还设有第二进气口(22),所述第二进气口(22)用于输入氩气,所述混合罐(2)设有混合罐(2)排气口,所述混合罐(2)排气口通过第二管道(52)与所述缓冲罐(3)的进气口(31)相连,所述缓冲罐(3)设有缓冲罐排气口(32),所述缓冲罐排气口(32)通过第三管道(53)与碳化硅沉积设备的炉体(4)相连。2.根据权利要求1所述的碳化硅沉积设备的进气装置,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴煜,胡祥龙,周岳兵,
申请(专利权)人:湖南顶立科技有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南;43
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