一种用于MOCVD制备YBCO带材的气体反应腔制造技术

本发明专利技术属于薄膜制备技术领域，具体为一种用于MOCVD制备YBCO带材的气体反应腔。包括反应铜管、连接于反应铜管两端的进排气仓和冷却管。反应铜管两端接到进排气仓；导热带绕于反应铜管和冷却管；进排气仓均设有一个孔隙，与反应腔中间的反应铜管在一条直线上，使用时基带衬底从孔隙中穿过。使用时整个反应过程只集中在反应铜管中，气体从进入反应室到被抽走，扩散空间小，所以极大的提高了金属有机源的利用率，降低了成本；同时可以实现在衬底的两面同时生长薄膜，并且保证制备的薄膜的面外均匀性和一致性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于薄膜制备
，涉及一种金属有机源化学气相沉积(MOCVD)所用的气体反应腔，可用于YBCO超导带材的制备，具体为一种用于MOCVD制备YBCO带材的气体反应腔。
技术介绍
金属有机化合物化学气相沉积，其英文名称为Metal-organicChemicalVaporDe7position，缩写为MOCVD，是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术，是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物以及Ⅴ、Ⅵ族元素的氢化物等作为气相沉积的源材料，通过扩散、气相反应以及表面化学反应，在高温的衬底上生长各种Ⅲ-Ⅴ族或Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。与其它生长技术相比，MOCVD法具有如下优点：①适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金材料；②可实现大面积均匀薄膜的快速沉积，很适于工业化生产；③采用液相金属有机源时，由于其保存在真空室外，故而生长过程中源的填装或更改很方便，适合长时间连续的薄膜制备，易于随时调节薄膜组分；④可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡。正是鉴于上述优点，MOCVD生长技术已经成为各国科学工作者研究的热点。通常M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于MOCVD制备YBCO带材的气体反应腔，包括反应铜管、导热带、进排气仓和冷却管，其特征在于：反应铜管两端接到进排气仓；导热带绕于反应铜管和冷却管；进排气仓均设有一个与反应腔中间的反应铜管在一条直线上的孔隙，使用时基带衬底在反应铜管中沉积薄膜并从孔隙中通过。

【技术特征摘要】
1.一种用于MOCVD制备YBCO带材的气体反应腔，包括反应铜管、导热带、进排气仓和冷却管，其特征在于：反应铜管两端接到进排气仓；导热带绕于反应铜管和冷却管；进排气仓均设有一个与反应腔中间的反应铜管在一条直线上的孔隙，使用时基带衬底在反应铜管中沉积薄膜并从孔隙中通过。2.如权利要求1所述用于MOCVD制备YBCO带材的气体反应腔，其特征在于：所述孔隙还设有一个可供衬底基带通过的绝缘装置。3.如权利要求1所述用于MOCVD制备YBCO带材的气体反应腔，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶伯万，赵瑞鹏，刘青，张宇希，李言荣，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51