The invention provides a wafer tray and an MOCVD system. A wafer tray, in MOCVD system, MOCVD system comprises a supporting shaft and a heating element, which is characterized in that the wafer tray comprises a tray body, the boss arranged on the lower surface of the body and the center of the tray is connected with the rotary connector on the convex surface of the supporting shaft; the upper end surface is provided with a rotary connecting piece is inserted into the pits. The pits and matched with the pit; the tray body is arranged on the upper part of the heating element, and the boss is in the vicinity of the heating element surrounded by. In the invention, the center of the tray body support structure, temperature and tray tray body center to the surrounding area remain basically the same, the temperature uniformity is greatly improved, so that the chip tray can still high rotation speed and easy manipulator automatic transmission disc.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及MOCVD(Metal-organicChemicalVaporDeposition,金属有机化学气相沉积)系统领域,尤其涉及一种晶片托盘及MOCVD系统。
技术介绍
目前,MOCVD系统(金属有机化学气相沉积系统)作为一种典型的CVD(ChemicalVaporDeposition,化学气相沉积)设备,能够提供在晶片(例如蓝宝石外延片)表面生长用于发光的晶体结构GaN(氮化镓)时所需的温度,压力,化学气体组分等条件。MOCVD设备中设有真空的反应腔,反应腔中设有托盘,通过进气装置(例如喷淋头)将反应气体引入反应腔内,并输送到放置在托盘上的多个晶片的表面进行处理,从而生长出特定的晶体结构,例如GaN结构。现有的一种MOCVD系统的晶片托盘加热支撑装置的设计中,为了同时实现反应均匀,托盘需要高速旋转及真空自动化传盘。托盘采用了中心点支撑的方式,如图1所示,这样托盘10中心点下方无法布置加热丝11,而支撑轴12一般都是金属材质,导热较好,将托盘10中心的温度带走,从而托盘中心温度低于其他部分温度,造成托盘中心的温度奇点,所以这种设计托盘10中心一般不放晶片。现有的另一种方案如图2所示,图2是通过在托盘20边缘底面连接支撑结构21来支撑并旋转托盘20,托盘20中心底部可以放置加热丝22,托盘20中心加热能够充分保证,但通过托盘20边缘底面连接支撑结构实现托盘20高速旋转和自动化传盘十分困难。在实际应用中,图1对应的方案逐渐占据了主导地位,因此,如何消除托盘中心的温度奇点,是业界亟需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供了一种晶片托盘及MOCVD系 ...
【技术保护点】
一种晶片托盘,用于MOCVD系统中,所述MOCVD系统包括支撑轴和加热元件,其特征在于,所述晶片托盘包括托盘本体、设置于托盘本体下表面中心的凸台和连接于所述凸台下表面的旋转连接件;所述支撑轴的上端面设置有凹坑,所述旋转连接件插入所述凹坑并与所述凹坑相配合;所述托盘本体置于所述加热元件上方,且所述凸台被其邻近加热元件所环绕。
【技术特征摘要】
1.一种晶片托盘,用于MOCVD系统中,所述MOCVD系统包括支撑轴和加热元件,其特征在于,所述晶片托盘包括托盘本体、设置于托盘本体下表面中心的凸台和连接于所述凸台下表面的旋转连接件;所述支撑轴的上端面设置有凹坑,所述旋转连接件插入所述凹坑并与所述凹坑相配合;所述托盘本体置于所述加热元件上方,且所述凸台被其邻近加热元件所环绕。2.如权利要求1所述的一种晶片托盘,其特征在于,在外延反应时,所述凸台的侧面接收邻近所述凸台的加热元件散发的热量。3.如权利要求2所述的一种晶片托盘,其特征在于,所述凸台的厚度大于或等于一层加热元件的厚度。4.如权利要求3所述的一种晶片托盘,其特征在于,所述凸台的下表面和托盘本体的下表面平行,且至少有一层加热元件的下表面高于该凸台的下表面。5.如权利要求1中任意一项所述的一种晶片托盘,其特征在于,所述托盘本体上表面中心设置有用于放置外延片的凹盘,或者所述托盘本体上表面中心位于用于放置外延片的凹盘内。6.一种MOCVD系统,包括晶片托盘、支撑轴和加热元件,其特征在于,所述晶片托盘包括托盘本体、设置于托盘本体下表面中心的凸台和连接于所述凸台下表面的旋...
【专利技术属性】
技术研发人员:金小亮,陈爱华,吕青,王国斌,
申请(专利权)人:中晟光电设备上海股份有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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