基片承载台及外延生长设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基片承载台及外延生长设备。该基片承载台包括第一承托件和第二承托件，第一承托件用于承载基片，并可分离地设置于第二承托件的上方，且第一承托件与第二承托件能够导热连接。第一承托件与第二承托件中的至少一个设置有局部凹陷结构，局部凹陷结构能够降低第一承托件与第二承托件之间的局部导热效率。通过降低第一承托件与第二承托件之间的局部导热效率，就能够降低基片的局部温度，实现满足外延生长需求的温场。并且，通过更换设置有不同局部凹陷结构的第一承托件或第二承托件，能够快速方便地满足不同的外延生长需求以及不同种类基片的生产需求，显著降低控制局部温度的难度，提高生产效率和成品质量。提高生产效率和成品质量。提高生产效率和成品质量。

【技术实现步骤摘要】
基片承载台及外延生长设备


[0001]本技术涉及晶体外延生长
，尤其涉及一种基片承载台及外延生长设备。

技术介绍

[0002]外延生长是指在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层(外延层)，是半导体材料常用的制作工艺。与不包括该单晶层的硅晶片相比，具有该单晶层的硅晶片具有较低的缺陷密度以及较好的抗闩锁能力等优点。
[0003]申请号为201811380441.3的中国专利中公开了一种外延生长设备，其中，通过增加控制装置和测量装置，实时测量反应室内外延生长的温度，从而根据测量结果对应调整反应室内的温度，提高外延生长的成品率。但是在该外延生长设备中还存在以下问题：
[0004]反应室内的温度一般通过加热器进行调控，而加热器往往难以保证基片上的各个位置处于适宜的温度(即基片处于适宜的温场)，影响了外延生长的工艺质量。
[0005]基于以上所述，亟需一种基片承载台及外延生长设备，能够解决上述的技术问题。

技术实现思路

[0006]本技术的一个目的在于提供一种基片承载台，能够调节基片的局部温度，为基片的外延生长提供适宜的温场。
[0007]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0008]基片承载台，包括：
[0009]第一承托件，上述第一承托件用于承载基片；
[0010]第二承托件，上述第一承托件可分离地设置于上述第二承托件的上方，上述第一承托件与上述第二承托件能够导热连接；
[0011]上述第一承托件与上述第二承托件中的至少一个设置有局部凹陷结构，上述局部凹陷结构用于降低上述第一承托件与上述第二承托件之间的局部导热效率。
[0012]可选地，上述第二承托件的质量大于上述第一承托件的质量。
[0013]可选地，上述第二承托件导热连接有加热装置，上述加热装置用于加热上述第二承托件。
[0014]可选地，上述第一承托件和上述第二承托件均为圆形托盘结构，上述第二承托件和上述第一承托件以第一轴线a为中心转动设置，上述第一轴线a为上述圆形托盘结构的中轴线。
[0015]可选地，上述局部凹陷结构为环形槽，上述环形槽以上述第一轴线a为中轴线设置。
[0016]可选地，上述环形槽包括第一环形槽和第二环形槽，上述第一环形槽的形状和/或尺寸不同于上述第二环形槽。
[0017]可选地，上述局部凹陷结构为若干凹孔，若干上述凹孔以上述第一轴线a为中心周
向排列设置。
[0018]可选地，上述第一承托件与上述第二承托件之间还设置有第三承托件，上述第一承托件与上述第二承托件能够通过上述第三承托件导热连接。
[0019]本技术的另一个目的在于提供一种外延生长设备，能够调节基片的局部温度，为基片的外延生长提供适宜的温场，具有较高的生产效率和生产质量。
[0020]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0021]外延生长设备，包括反应室，上述反应室内可更换地设置有上述的基片承载台，上述基片承载台用于承载基片。
[0022]可选地，上述反应室设置有至少两个温度传感器，上述温度传感器用于测量上述基片的局部温度。
[0023]本技术所提供的基片承载台及外延生长设备的有益效果在于：通过设置上述的第一承托件和第二承托件，在第一承托件与第二承托件之间形成导热连接，并在第一承托件与第二承托件中的至少一个设置局部凹陷结构，形成阻热间隙，就能够降低第一承托件与第二承托件之间的局部导热效率，从而降低放置在第一承托件上的基片的局部温度，实现满足外延生长需求的温场。并且，由于第一承托件是可分离地设置在第二承托件上方，通过更换设置有不同局部凹陷结构、具有不同局部导热效率的第一承托件或第二承托件，就能够快速方便地满足不同的外延生长需求以及不同种类基片的生产需求，显著降低控制局部温度的难度，提高生产效率和成品质量。
附图说明
[0024]图1是本技术所提供的外延生长设备的内部结构示意图；
[0025]图2是图1中A处的局部放大图；
[0026]图3是加热装置的内部结构示意图；
[0027]图4是第一种第二承托件的俯视图；
[0028]图5是沿图4中B
‑
B的剖面图；
[0029]图6是第二种第二承托件的俯视图；
[0030]图7是沿图6中C
‑
C的剖面图；
[0031]图8是基片上以第一轴线a为基准的距离
‑
温度示意图。
[0032]图中：
[0033]1、反应室；
[0034]2、支撑架；
[0035]3、基片承载台；31、第一承托件；32、第二承托件；321、环形槽；3211、第一环形槽；3212、第二环形槽；
[0036]4、加热盘；41、感应线圈；
[0037]5、温度传感器；51、第一温度传感器；52、第二温度传感器；53、第三温度传感器；
[0038]6、基片。
具体实施方式
[0039]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖
直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。其中，术语“第一位置”和“第二位置”为两个不同的位置。
[0040]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0041]下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0042]下面参照图1至图8介绍本技术所提供的基片承载台3及外延生长设备。该外延生长设备包括反应室1，基片承载台3设置在反应室1内，用于承载待处理的基片6。
[0043]如图1、图2所示，该基片承载台3包括第一承托件31和第二承托件32，第一承托件31可分离地设置在第二承托件32上方，基片6则放置在第一承托件31上。当第一承托件31安装至第二承托件32上方时，第一承托件31与第二承托件32之间能够形成直接或间接的导热连接(或称为热传导，是固体的传热主要方式)，热量从第二承托件32传递至第一承托件31并最本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基片承载台，其特征在于，包括：第一承托件(31)，所述第一承托件(31)用于承载基片(6)；第二承托件(32)，所述第一承托件(31)可分离地设置于所述第二承托件(32)的上方，所述第一承托件(31)与所述第二承托件(32)能够导热连接；所述第一承托件(31)与所述第二承托件(32)中的至少一个设置有局部凹陷结构，所述局部凹陷结构用于降低所述第一承托件(31)与所述第二承托件(32)之间的局部导热效率。2.根据权利要求1所述的基片承载台，其特征在于，所述第二承托件(32)的质量大于所述第一承托件(31)的质量。3.根据权利要求1所述的基片承载台，其特征在于，所述第二承托件(32)导热连接有加热装置，所述加热装置用于加热所述第二承托件(32)。4.根据权利要求3所述的基片承载台，其特征在于，所述第一承托件(31)和所述第二承托件(32)均为圆形托盘结构，所述第二承托件(32)和所述第一承托件(31)以第一轴线a为中心转动设置，所述第一轴线a为所述圆形托盘结构的中轴线。5.根据权利要求4所述的基片承载台，其特征在于，所述局部凹陷结构为...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕青，施广涛，李瑞，
申请(专利权)人：中晟光电设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：