晶体生长设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶体生长设备，晶体生长设备包括炉体、坩埚、加热器及隔挡件。坩埚设于炉体内，坩埚内放置生产晶体的原料。加热器位于炉体与坩埚之间，加热器用于对坩埚加热，加热器包括主加热器、两个加热器支腿及两个加热器脚，主加热器环绕在坩埚的外周侧且位于坩埚的上部，两个加热器支腿沿坩埚的径向相对设置，每个加热器支腿的上端与主加热器相连且下端设有加热器脚，加热器脚位于坩埚的下方。隔挡件位于坩埚的外周侧且位于主加热器的下方，隔挡件的至少部分位于坩埚的外周壁与加热器支腿之间，隔挡件与坩埚和加热器支腿中的至少一个间隔开。根据本实用新型专利技术实施例的晶体生长设备，可以降低晶体中的氧含量，保证晶体的生长质量。的生长质量。的生长质量。

【技术实现步骤摘要】
晶体生长设备


[0001]本技术涉及晶体生长
，尤其是涉及一种晶体生长设备。

技术介绍

[0002]相关技术中，在晶体生长设备生长单晶硅的过程中，加热器可以对坩埚进行加热，坩埚处于高温环境下，坩埚会有部分氧熔解进入坩埚的硅熔体中，硅熔体中氧含量过高会影响单晶硅的生长质量。加热器的加热器支腿能对坩埚下侧壁进行热辐射，导致坩埚温度升高，坩埚的下方会有氧原子析出，导致硅熔体中氧含量过高，进而会影响单晶硅的生产质量。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种晶体生长设备，通过在坩埚的外周壁与加热器支腿之间设置隔挡件，隔挡件可以用于阻挡加热器支腿的热量辐射至坩埚的外周壁，使得坩埚中的氧原子不易析出，可以降低晶体中的氧含量，可以保证晶体的生长质量。
[0004]根据本技术实施例的晶体生长设备，包括：炉体；坩埚，所述坩埚设于所述炉体内，所述坩埚内适于放置用于生产晶体的原料；加热器，所述加热器设在所述炉体内且位于所述炉体与所述坩埚之间，所述加热器用于对所述坩埚加热，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长设备，其特征在于，包括：炉体；坩埚，所述坩埚设于所述炉体内，所述坩埚内适于放置用于生产晶体的原料；加热器，所述加热器设在所述炉体内且位于所述炉体与所述坩埚之间，所述加热器用于对所述坩埚加热，所述加热器包括主加热器、两个加热器支腿以及两个加热器脚，所述主加热器环绕在所述坩埚的外周侧且位于所述坩埚的上部，两个所述加热器支腿沿所述坩埚的径向相对设置，每个所述加热器支腿的上端与所述主加热器相连，每个所述加热器支腿的下端设有所述加热器脚，所述加热器脚位于所述坩埚的下方；隔挡件，所述隔挡件位于所述坩埚的外周侧且位于所述主加热器的下方，所述隔挡件的至少部分位于所述坩埚的外周壁与所述加热器支腿之间，所述隔挡件与所述坩埚和所述加热器支腿中的至少一个间隔开，所述隔挡件为耐高温件。2.根据权利要求1所述的晶体生长设备，其特征在于，所述隔挡件环绕在所述坩埚的外周侧且呈环形。3.根据权利要求1所述的晶体生长设备，其特征在于，所述隔挡件在上下方向上的高度为h1，所述加热器支腿在上下方向上的高度为h2，所述h1与所述h2的比值大于0.7。4.根据权利要求1所述的晶体生长设备，其特征在于，所述炉体内设有防护底板，所述防护底板位于所述坩埚的下方，所述隔挡件的底部与所述防护底板相连。5.根据权利要求4所述的晶体生长设备，其特征在于，所述加热器脚位于所述防护底板的下...

【专利技术属性】
技术研发人员：周洁，王新，赵玉兵，张华利，范伟，
申请(专利权)人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：