本技术提供了一种坩埚护板和具有其的铸锭炉，多个所述坩埚护板围设出适于放置坩埚的坩埚布置腔，所述坩埚护板上至少设有一个辐射口，所述辐射口沿所述坩埚护板的厚度方向贯穿所述坩埚护板，且在上下方向上所述辐射口的下边沿适于高于所述坩埚中硅液的液面...

本技术公开了一种用于补掺的籽晶及晶体生长设备，用于补掺的籽晶包括：籽晶本体，籽晶本体为沿第一方向延伸的柱体，籽晶本体沿第一方向的两端分别为第一端和第二端，第一端形成有凹陷部，凹陷部位于籽晶本体的周向侧壁上，凹陷部朝向籽晶本体的中心凹陷，...

本技术公开了一种晶体生长设备，晶体生长设备包括炉体、坩埚、加热器以及隔挡件。坩埚设于炉体内，坩埚内适于放置用于生产晶体的原料。加热器位于炉体与坩埚之间，加热器用于对坩埚加热，加热器包括主加热器、两个加热器支腿以及两个加热器脚，主加热器环...

本技术公开了一种坩埚和多晶硅铸锭炉，坩埚用于多晶硅铸锭炉且包括：坩埚本体和涂层，坩埚本体为石英件，涂层设于坩埚本体的内壁面且包括沿涂层的厚度方向叠置的第一涂层和第二涂层，第一涂层包括第一高纯层和保护层，第一高纯层为高纯二氧化硅层，保护层...

本发明公开了一种去除单晶炉中Sb<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;气体的方法和单晶炉，所述去除单晶炉中Sb<subgt;2</subgt;O<subgt;3<...

本发明公开了一种清除装置和气体回收系统，所述清除装置用于清除惰性气体中的Sb<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;气体，所述清除装置包括：第一罐，所述第一罐内设有与所述Sb<su...

本发明公开了一种降低单晶硅氧含量的方法，降低单晶硅氧含量的方法包括：在引晶阶段、缩颈阶段、放肩阶段和转肩阶段中的一个阶段开始向炉内通入氢气；确认晶棒等径段长度达到L1；停止通入氢气。根据本发明的降低单晶硅氧含量的方法，通过在引晶阶段、缩...

本发明公开了一种锑氮共掺单晶硅的制备方法和锑氮共掺单晶硅，锑氮共掺单晶硅的制备方法包括：获取向坩埚内投入硅料的次数N；确定N大于等于2，向单晶炉内投入硅料的同时投入掺杂物，掺杂物包括锑料；向单晶炉内通入氮气和氩气。根据本发明的锑氮共掺单...

本发明公开了一种硅母合金的制备方法和晶体制备方法，硅母合金的制备方法包括：将硅料和锑料均匀混合放入铸锭炉中；对铸锭炉进行抽真空后，充入保护气体；加热铸锭炉至预定温度，使熔融后的硅料和锑料定向凝固，形成合金锭块；对铸锭炉降温；将合金锭块分...

本发明公开了一种单晶硅的制备方法、晶棒和单晶生成系统，用于直拉法制备重掺单晶添加掺杂剂，掺杂器具形成有用于容纳掺杂剂的容纳腔，掺杂器具被配置为适于卡持于籽晶上制备方法包括：S1，对硅原料加掺掺杂剂，其中，掺杂剂为氮、砷、锑中的至少一种；...

本发明公开了一种晶体生长方法，所述晶体生长方法包括：确定满足向坩埚内添加掺杂剂的条件；将掺杂剂通过硅凝胶粘接连接在籽晶下端，使得籽晶向下移动伸入坩埚的熔汤内且掺杂剂和硅凝胶完全位于熔汤内。根据本发明的晶体生长方法，实现向坩埚内添加掺杂剂...

本发明提供了一种单晶硅的制作方法，包括：在坩埚内形成硅液，所述硅液内包括掺杂剂磷和掺杂剂锑，所述掺杂剂磷在所述硅液中的质量浓度为A，所述掺杂剂锑在所述硅液中的质量浓度为B，A和B满足B/A＝50‑250；通过直拉法生长成型单晶硅。根据本...

本发明公开了一种单晶硅的制备方法和单晶硅，单晶硅的制备方法包括：获取向坩埚内投入硅料的次数N；确定N大于等于2，向单晶炉内投入硅料的同时投入掺杂物，掺杂物包括锑料和镓料。根据本发明的单晶硅的制备方法，可以提高坩埚的利用率以及单晶硅的生产...

本申请公开了一种坩埚。所述坩埚用于铸锭炉，所述坩埚包括石英陶瓷本体和第一硅片层，所述石英陶瓷本体形成加热槽；所述第一硅片层铺设在所述加热槽的底壁。如此，在用坩埚对颗粒硅进行加热的工艺时，第一硅片层会隔开石英陶瓷本体与颗粒硅，避免颗粒硅与...

本发明公开了一种加料装置和单晶炉，所述加料装置包括：装置本体，装置本体中具有容纳仓，容纳仓沿装置本体长度方向延伸，容纳仓沿装置本体长度方向的一端敞开形成敞开口；载板，载板沿装置本体的长度方向延伸且载板的至少部分设于容纳仓内，载板的上端面...

本技术公开了一种清洗设备，涉及硅片清洗的技术领域。清洗设备，包括传送机构以及收集盒。传送机构包括传送带，传送带的至少部分位于烘道内以接收碎硅片；收集盒位于传送带在传送方向上的末端，用于收集碎硅片。根据本技术实施例的清洗设备，通过设置传送...

本申请公开了一种铸锭炉，铸锭炉包括：炉体，炉体具有第一腔体；隔热笼，隔热笼设于第一腔体内，隔热笼形成有向底部敞开设置的第二腔体，第二腔体内设有临近第二腔体的敞开端设置的换热块；保温板组件，保温板组件设在第一腔体内且位于隔热笼在第二腔体的...

本申请公开了一种脱氢装置。本申请实施方式的脱氢装置包括炉体、载台和单晶坩埚，炉体形成有炉腔，载台设置在炉腔内，单晶坩埚选择性地设置在炉腔内，单晶坩埚具有圆弧状埚底并设置在载台上。如此，单晶坩埚内部的高纯层纯度较高，且不会发生掉粉和涂层脱...

本申请公开了一种坩埚和铸锭炉。坩埚包括锅邦和本体。本体可拆卸的设置在锅邦内。其中，坩埚的侧壁形成有通气孔，通气孔贯穿锅邦和本体。如此，本申请实施方式通过在坩埚的侧壁形成有通气孔，并将通气孔贯穿锅邦和本体，使得坩埚对颗粒硅脱氢时，可以在保...

本申请公开了一种铸锭炉，铸锭炉包括坩埚、加热器和吊臂。其中，坩埚用于填装硅料，加热器分布在坩埚的周侧，吊臂设有调节机构，调节机构与加热器连接以调节加热器的高度。本申请实施方式的铸锭炉通过在吊臂上设置调节机构，调节机构与加热器连接，通过调...